BAT43 肖特基二极管（30V，200mA，通孔 DO-204AH）产品概述

一、产品简介

BAT43 为意法半导体（ST）品牌的一款独立式肖特基二极管，采用通孔轴向封装 DO-204AH（亦称 DO-35）。该器件设计用于小功率整流与高速开关场合，典型电气参数为：反向耐压 30V，直流整流电流 200mA，正向压降 1.0V（@0.2A），25V 时反向电流 500nA，非重复峰值浪涌电流 4A，结温工作范围 -65℃ 至 +125℃。

二、主要电气特性

• 反向耐压（Vr）：30V，适合低电压电源保护与整流。
• 直流整流电流：200mA（DC），用于小电流通路。
• 正向压降（Vf）：1.0V @ 0.2A，肖特基结构相比普通硅二极管具有较低的导通电压，有利于降低功耗。
• 反向电流（Ir）：500nA @ 25V（室温），实际工作中随温度升高漏电流会显著增加，应在高温环境下评估漏电影响。
• 冲击能力：非重复峰值浪涌电流 Ifsm 4A，能短时承受浪涌电流，如开关瞬变或充电突变量。

三、封装与机械特性

该型号采用 DO-204AH（DO-35）轴向玻璃或环氧封装，适合通孔焊接、手工装配与波峰焊后引线修整。轴向封装便于穿板安装与机械固定，适合需要较好机械强度的应用。注意引线长度与弯折处的应力控制，避免在装配中损伤封装体。

四、应用场景

• 电源输入的反向极性保护与低压整流；
• 开关电源、隔离电路中作为快速恢复或钳位元件；
• 信号检测与射频前端中的检波器（低电流场合）；
• 电池供电设备和便携式设备以降低导通损耗；
• 混合信号电路中的电平钳位与保护。

五、热管理与可靠性建议

通孔 DO-35 属小功率封装，器件在 200mA 工作点时的功耗约为 Vf×I（约 0.2W），长期靠近极限电流时建议留有功耗裕量并考虑散热或降低占空比。反向漏流随温度上升显著增加，在高温环境下应进行降额使用或选择低漏电替代型号。

六、选型与替代建议

在选择时关注关键参数（Vr、If、Vf、Ir、Ifsm、工作温度）。若需更低正向压降或更高电流能力，可考虑更高额定电流的肖特基或 SMD 封装的功率肖特基；若对反向漏流有更严苛要求，可寻找漏电更低的工艺或增加温度控制措施。

七、安装与检验要点

• 推荐按通孔焊接工艺进行，避免对封装体过高的热应力；
• 建议在装配后检查正反向特性，测量 Vf 与 Ir 是否在规格范围；
• 在系统验证阶段做温度相关的漏电与寿命测试，确认在目标工况下性能稳定。

总结：BAT43（DO-204AH）为一款面向小功率、低压、快速响应应用的肖特基二极管，具有良好的导通特性和浪涌承受能力，适合通孔装配的便携与工业电子设备。在实际设计中应结合工作温度与散热条件对电流进行降额，以保证长期可靠性。