BD680 产品概述

一、主要特性

BD680 是意法半导体（ST）推出的一款 PNP 达林顿功率晶体管，面向要求高电流放大倍数和中等电压耐受能力的场合。器件具有：

• 集—射击穿电压 Vceo = 80V；
• 直流电流放大倍数 hFE = 750（在 1.5A 条件下）；
• 额定集电极电流 Ic = 4A，耗散功率 Pd = 40W；
• 集电极截止电流 Icbo = 500µA，集—射极饱和电压 VCE(sat) ≈ 2.5V；
• 射极—基极峰值反向耐压 Vebo = 5V； 封装为 SOT-32-3，常见于需要紧凑封装且便于安装的电路板设计中。

二、性能参数解读

BD680 作为达林顿器件，内部由两级晶体管组成，因而具有非常高的电流增益，适合用微弱的基极驱动获得较大的集电极电流输出。高 hFE（750@1.5A）利于降低驱动电路的基极电流需求，但达林顿结构会带来较高的饱和压（约 2.5V），在开通状态下会产生较大的功耗，需要在热设计中充分考虑。

集电极截止电流 Icbo 在高温下可能上升，设计时需考虑漏电流对静态功耗和偏置点的影响。Vebo = 5V 提示不得对基—射极施加较大反向电压，否则可能损伤器件。

三、典型应用

• 高侧开关与电源控制（PNP 便于在正供电侧做开关）；
• 继电器、继电阀、指示灯与小型电机驱动；
• 放大器输出级与驱动级（需考虑饱和压和线性区表现）；
• 工业控制与家电负载驱动场合。

四、设计与使用注意事项

• 驱动设计：在需要线性或低饱和电压的应用中，应留出足够的基极驱动裕量。可先按 Ic/hFE 估算基极电流，在要求饱和导通时增加裕量（实际饱和时 hFE 会下降）。
• 热管理：Pd = 40W 为器件在规定散热条件下的最大耗散，实际电路中应通过散热片或铜箔铺设控制结温，避免长期在高结温下工作。
• 保护措施：建议在电路中加保护二极管、限流电阻或过流保护，防止反向电压、浪涌或热失控损坏器件。
• 基—射极反向保护：由于 Vebo 仅 5V，避免在开关或反向瞬态中超出该值，可并联反向保护二极管或阻尼网络。

五、封装与散热

SOT-32-3 封装适合中等功率应用，但要实现接近额定 Pd 的耗散，通常需要借助散热片或将器件焊接到大铜面积的 PCB 热垫。实际热阻与安装方式密切相关，设计时应参考完整数据手册中的热特性曲线进行计算。

六、可靠性与选型建议

在选型时，结合工作电压、工作电流、占空比和环境温度评估器件的结温和寿命。如需更低饱和压或更高电流能力，可比较同类达林顿或单晶体管的参数。强烈建议在最终设计前查阅并验证原厂数据手册，确认典型曲线、极限值及测试条件，以确保电路的长期可靠运行。