1N5818 产品概述

一、主要特性

1N5818 是一款常用的肖特基（Schottky）接触二极管，面向低压、低压降整流和保护场合。其主要性能摘要如下：

• 正向压降（Vf）：约 0.5 V @ IF = 1 A（典型值）。
• 直流反向耐压（VR）：30 V。
• 额定整流电流：1 A（连续）。
• 反向漏电流（Ir）：≤ 500 μA @ VR = 30 V（通常在 25°C 测试）。
• 非重复峰值浪涌电流（Ifsm）：25 A（常按 8.3 ms 单次半波测试条件）。
• 封装：DO-41 轴向直插封装。
• 品牌示例：ST（意法半导体）等多家半导体厂商有生产。

这些特性使 1N5818 在需要尽量降低正向压降同时又能承受一定反向电压和冲击电流的低功率应用中非常受欢迎。

二、电气参数（关键点）

• 正向特性：在 1 A 电流下正向压降约 0.5 V，比普通 PN 结整流二极管低（有利于提高效率、降低发热）。
• 反向特性：最大反向电压 30 V，适用于低压电源和信号保护场合。反向漏电流相对较大（肖特基器件的一般特点），在接近额定 VR 时可能达到几百微安，且随温度显著上升。
• 冲击能力：Ifsm = 25 A 表示能承受短时浪涌电流（例如开机、短路或电源冲击），但应避免重复或长期冲击。
• 工作电流：连续整流电流 1 A，超过此值时需注意散热与结温管理。

三、典型应用

1N5818 常用于以下场景：

• 开关电源与低压整流：作为输出或回路整流管，降低整流损耗。
• 反向保护与防反接：用于保护电源输入与电池回路，利用低 Vf 减少功率损失。
• 自由轮回路（flyback/freewheeling）：在 DC-DC 转换器或马达驱动中用作续流二极管。
• 电池供电设备与便携式电子：降低能耗、延长续航。
• 保护与钳位电路：防止瞬态电压反向进入敏感电路。 注意：由于较高的反向漏电流，不建议在要求超低静态漏电（如某些高阻输入测量或超低功耗待机电路）中使用。

四、封装与热管理

• DO-41 轴向封装适合通用直插安装，便于手工焊接和原型调试。该封装的热阻较大，不如表面贴装（SMD）封装便于散热。
• 在持续 1 A 工作或频繁大电流冲击时，应关注结温（Tj）和环境温度（Ta）。若电路板能提供散热路径（例如通过铜箔或散热体），可提升持续载流能力。
• 注意温度对漏电流的影响：在高温环境下反向漏电流会显著增加，可能影响电路性能或引起额外损耗。

五、选型与设计注意事项

• 电压裕量：若电路可能出现高于 30 V 的峰值反向电压，应选用耐压更高的肖特基（如 1N5819 等）或增加保护措施。
• 漏电流影响：在待机或高阻态电路中需评估 500 μA 级别的漏电流是否可接受，必要时选择漏电流更低的器件或改用其它拓扑。
• 浪涌能力：Ifsm=25 A 只适用于短时单次冲击，长期或重复冲击需在热和电应力上进行充分余量设计。
• 替代考量：与 1N5817（20 V）或 1N5819（40 V）相比，1N5818 的耐压中等，适合 30 V 以内场合；同类 SMD 器件可用于空间或散热要求更高的设计。

六、可靠性与使用建议

• 焊接：DO-41 封装可手工焊接，但应控制焊接温度和时间，避免封装或内部器件受热损伤。
• 储存与静电：肖特基二极管对静电敏感，注意 ESD 防护；长期储存注意防潮。
• 测试：评估正向压降、反向漏电和冲击承受能力时，建议在目标工作温度和实际电路条件下进行，以获得真实表现。

七、采购与替代

• ST（意法半导体）有相应型号出货，订购时请参考厂商数据手册以确认封装、引线方向和测试条件。
• 常见替代件：1N5817（20 V）、1N5819（40 V）、SS14/SS34（SMD ↔ 不同电流/电压等级）等，根据电压、封装和漏电容需求选择合适替代品。

总结：1N5818 是一款面向低压、低压降整流与保护的通用肖特基二极管，适用于需要低损耗整流但对反向电压和漏电流有一定容忍度的设计场合。设计时应关注漏电随温度上升、散热管理与浪涌能力，结合实际工况和备选型号进行综合选型。