STTH302RL 产品概述

一、产品简介

STTH302RL 是意法半导体（ST）推出的一款快恢复、高效率整流二极管，采用 DO-201AD 轴向封装，适用于中功率开关电源和整流场合。该器件在3A电流条件下正向压降约为950mV，反向耐压达200V，兼顾导通损耗与开关性能，适合对效率和开关响应有较高要求的应用。

二、主要技术参数

• 型号：STTH302RL（ST）
• 正向压降：Vf = 950 mV @ IF = 3 A
• 直流反向耐压：Vr = 200 V
• 整流电流：IF(AV) = 3 A
• 反向电流：Ir = 3 µA @ Vr = 200 V
• 反向恢复时间：Trr = 35 ns
• 封装：DO-201AD（轴向大功率封装）

三、性能特点与优势

• 低正向压降：在3A工作点下约0.95V，有助于降低导通损耗，提高整机效率。
• 快恢复特性：35ns 的反向恢复时间在常见开关频率下能显著减少开关损耗与电磁干扰（EMI）。
• 低漏电流：200V 条件下仅3µA 的反向电流，有利于减小静态功耗和提高待机效率。
• 稳定可靠的轴向封装：DO-201AD 便于手工或波峰焊接，具有良好的热容量和机械强度，适合较高功率密度设计。

四、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）整流与续流二极管
• 功率因数校正（PFC）前端整流
• 适配器与充电器输出整流
• 电机驱动与逆变器的续流回路
• 各类需要兼顾导通损耗和开关损耗的电源模块

五、封装与热管理建议

DO-201AD 封装具备较好的散热能力，但在高电流连续工作下仍需注意热设计：

• 尽量靠近散热体或在装配结构上配合散热片使用；
• 保证焊点与引线良好接触，避免热阻累积；
• 设计时考虑电流的可焊接载流能力与环境温度的降额使用，以延长器件寿命。
  焊接与处理时请参照 ST 提供的封装与焊接工艺规范，避免过高温度或长时间加热。

六、选型建议

当系统对开关损耗和导通损耗都有较高要求时，STTH302RL 提供了平衡的解决方案；若需要更低正向压降可考虑肖特基二极管，但在耐压与反向恢复性能上可能无法兼顾。选型时应综合考虑工作电压、峰值电流、开关频率与热管理条件。

简要总结：STTH302RL 是一款面向中功率开关整流场合的快恢复二极管，具有较低正向压降、快速恢复和低漏电的特性，在保证可靠性的同时能提升整机效率和开关性能。