BD136-16 产品概述

BD136-16 是一款 ST（意法半导体）生产的 PNP 型功率双极性晶体管，适用于中小功率放大和开关场合。器件标称参数包括：集电极电流 Ic = 1.5A、集射极击穿电压 Vceo = 45V、耗散功率 Pd = 1.25W、直流电流增益 hFE = 40（在 Ic = 150mA、VCE = 2V 条件下），集电极截止电流 Icbo ≈ 100nA，集电极饱和电压 VCE(sat) ≈ 500mV。封装为 SOT-32（常见的 TO-126 样式封装），便于安装和局部散热处理。

一、主要参数一览

• 晶体管类型：PNP（双极型晶体管）
• 最大集电极电流（Ic）：1.5 A
• 最大集—射击穿电压（Vceo）：45 V
• 耗散功率（Pd）：1.25 W（在规定散热条件下）
• 直流电流增益（hFE）：约 40（Ic = 150 mA、VCE = 2 V）
• 集电极截止电流（Icbo）：约 100 nA（小电流漏泄）
• 集电极饱和电压（VCE(sat)）：约 500 mV（典型值）
• 品牌/产地：ST（意法半导体）
• 封装：SOT-32（TO-126 类似）

二、性能特点

1. 中等电流能力与中等电压等级：45V 的耐压和最高 1.5A 的集电极电流，使 BD136-16 适合驱动小型继电器、低功率电机和中小功率功放级。
2. 较小的泄漏电流（Icbo ≈ 100nA）：在关断状态下漏电小，利于高阻态保持和偏置稳定性。
3. 合理的直流放大倍数：在 150mA 工作点 hFE ≈ 40，可用于小信号放大或作为驱动级器件。
4. 封装与散热：SOT-32（TO-126 式）封装带有金属散热片面，便于引出和安装外部散热片以提高耗散能力。

三、典型应用场景

• 小信号功率放大器（音频驱动第一级或前驱）
• 低压电源与线性稳压电路中的串联或误差放大元件
• 中小功率开关：继电器驱动、低速直流电机驱动、指示灯或小功率负载的开关
• 推挽放大器中的 PNP 侧（与 NPN 器件配合形成互补对）
• 通用功率放大和缓冲级

四、使用建议与设计注意事项

1. 散热管理：标称 Pd = 1.25W 表示在无额外散热或特定壳体温度下的最大耗散能力。若需要持续高电流工作（接近 Ic 最大值），必须提供良好的散热（焊接到散热片或 PCB 大面积铜箔），否则器件会因过热而限流或损坏。
2. 驱动与偏置：在放大区，若取 Ic = 150mA 且 hFE ≈ 40，则基极电流约为 Ib ≈ 3.75mA（Ib = Ic / hFE）。若作为开关要求饱和导通，应采用较低的有效放大倍数（强制 β，一般取 10–20 以保证饱和），这会显著提高所需基极驱动电流，设计时应为基极留足驱动能力。举例：若以强制 β = 10 对应 Ic = 150mA，则需 Ib ≈ 15mA；要达到 1.5A 则理论上需非常大的基极电流（在实际应用中通常通过并联或选择更大功率器件解决）。
3. 工作极限与滤波：在高电压开关或感性负载驱动时，应加入合适的消峰（Flyback）二极管或 RC 吸收网络，防止反向尖峰击穿 Vceo。
4. 可靠性考量：长期工作时需注意结温与环境温度，按照器件数据手册中的温度-功率降额曲线设计，避免靠近极限工作点。

五、配对与替代

• 常见互补器件：BD135（NPN）常作为 BD136 的互补对，用于推挽或对称放大结构。
• 替代选择：在需要更高功率耗散或更低饱和压时，可考虑更大封装或低 VCE(sat) 的现代功率晶体管或 MOSFET；在保持小封装和类似电气特性时，应以器件数据表对照 Vceo、Ic、Pd、hFE 等关键参数进行替换匹配。

总结：BD136-16 是一款经典的中小功率 PNP 功率晶体管，适合多数需要 45V 耐压和 1.5A 峰值电流的应用场合。设计时重点在于合理的偏置与驱动、以及充足的散热处理，以保证器件在安全区域内稳定工作。如需用于具体电路（例如饱和开关或放大器），建议参考完整器件数据手册以获取更详尽的特性曲线和降额信息。