L2N7002KN3T5G 产品概述

一、产品简介

L2N7002KN3T5G 是一颗单个 N 沟增强型场效应管（MOSFET），由 LRC（乐山无线电）提供，采用 SOT‑883 小封装设计。器件额定漏‑源耐压为 60V，适用于小功率、低电流的开关与信号控制场合。器件结构适合在空间受限与成本敏感的应用中替代继电器或双极晶体管开关。

二、主要参数

• 类型：N 沟 MOSFET（单颗）
• 漏‑源电压 Vdss：60 V
• 连续漏极电流 Id：≈380 mA（部分资料或标称 320 mA，选型时以供应商正式 Datasheet 为准）
• 导通电阻 RDS(on)：1.8 Ω @ Vgs = 10 V
• 最大耗散功率 Pd：250 mW
• 阈值电压 Vgs(th)：2.5 V @ Id = 250 µA
• 栅极电荷 Qg：700 pC @ Vgs = 10 V
• 输入电容 Ciss：32.8 pF
• 反向传输电容 Crss：2.9 pF @ 25 V
• 工作温度范围：-55 ℃ ~ +150 ℃
• 封装：SOT‑883

三、特性与优势

• 封装小巧（SOT‑883），适合表贴、高密度 PCB 布局。
• 漏极耐压 60V，可应对中高压侧的小电流开关需求。
• 较低的输入电容（Ciss ≈ 32.8 pF）和较小的 Crss 有利于降低对驱动端的反馈影响，便于与逻辑控制器直接接口。
• 低 Pd（250 mW）与较高 RDS(on) 表明该器件更适合低功率场合，静态功耗可控。

四、典型应用场景

• 数字信号开关与电平移位（低速场合）。
• 小功率负载的断电/上电控制（小型继电器驱动前端、指示灯驱动等）。
• 便携式设备的电源管理与电路保护（作为旁路或复位开关）。
• 测试夹具、仪器内的小信号开关。

五、选用与使用建议

• 为获得标称 RDS(on)，建议在 Vgs = 10 V 驱动；如果由 3.3V/5V MCU 直接驱动，注意导通电阻会更高，导通损耗增加。
• 栅极电荷 Qg 较高（700 pC），在频繁开关或高频 PWM 场合会带来较大的驱动能量消耗与开关损耗，不适合高频大电流开关应用。
• 受限的功耗能力（Pd = 250 mW）要求良好热设计：尽量在 PCB 上留足铜箔散热并限制持续电流，必要时采用并联或选择更大封装的器件。
• 使用时推荐串联栅极电阻以抑制振铃、限制浪涌电流并提升系统抗干扰能力；并在高 dV/dt 场合加 RC 或 TVS 做保护。
• 注意 ESD 防护，装配与测试时避免静电破坏。

六、注意事项

• 本概述基于给定参数整理，实际设计请以 LRC 正式 Datasheet 为准，核对温度依赖特性与极限参数并进行必要的热/电仿真。
• 在高温、长期工作或接近限额条件下应进行充分的可靠性评估与热失效分析。

总结：L2N7002KN3T5G 适合用于空间受限、需要 60V 耐压且电流要求较低的小功率开关场景。在选型时重点考虑其较高的 RDS(on)、较大栅极电荷与有限的功耗能力，按实际工作电压与频率对驱动与散热做相应优化。