ZMM5V6 稳压二极管产品概述

一、产品简介

ZMM5V6 是由 JSMSEMI（杰盛微）推出的一款小功率稳压（齐纳）二极管，标称稳压值 5.6V，适用于电压基准、过压保护、基准源和低功耗稳压场合。器件额定耗散功率为 500mW，适合在受限功耗与空间条件下实现可靠的稳压或钳位功能。封装为 LL-34，便于通孔/自动贴装工艺应用（具体外形与焊接图请参照厂家封装资料）。

二、主要电气参数

• 稳压值（标称）：5.6V
• 稳压值（范围）：5.2V ~ 6.0V
• 最大耗散功率 Pd：500 mW（在规定散热条件下）
• 反向电流 Ir：≤100 nA @ VR = 1V（低漏电，适合高输入阻抗电路）
• 击穿近膝部阻抗 Zzk：450 Ω（在击穿近膝部的阻抗特性，反映低电流区的动态变化）
• 稳态小信号阻抗 Zzt：25 Ω（在规定稳压电流下的动态阻抗，影响稳压精度与噪声特性）
• 品牌：JSMSEMI（杰盛微）
• 封装：LL-34

三、特性与工作原理

ZMM5V6 在反向偏置时工作于齐纳/雪崩击穿区，通过在二极管上维持近恒定的电压来实现稳压。器件在低电流区表现出较高的阻抗（Zzk = 450 Ω），随电流上升进入稳态区时阻抗下降至 Zzt = 25 Ω，这决定了其在不同工作点下的电压稳定性和纹波抑制能力。低温漂、高阻抗和极小的反向泄漏电流使其适合为高阻抗输入电路提供参考或做精细钳位。

四、应用场景

• 作为 5.6V 电压基准/参考源（低速精度场合）
• 保护敏感器件或输入端口，钳制瞬态过压
• 为低功耗微控制器外围提供简单稳压（常与限流电阻配合）
• 模拟电路中作为电平移位或偏置元件
• 测试与教育电路中的稳压/限幅演示

五、选型与电路设计建议

• 功率预算：最大耗散 500 mW，设计时务必计算稳压功耗 Pd ≈ Vz × Iz（Iz 为稳压电流），并考虑串联限流电阻及散热条件。例如：若 Vin = 12V，Vz = 5.6V，预期 Iz = 20 mA，则 R = (12−5.6)/0.02 ≈ 320 Ω，器件功耗 ≈ 5.6V×0.02A = 112 mW（低于额定）。
• 动态阻抗：若要求较低纹波，需增大 Iz 以进入低阻抗区，但同时注意功耗限制。
• 漏电与偏置：Ir ≤100 nA @1V 说明在低电压偏置下漏电很小，适合高阻抗测量电路。
• 温度与漂移：实际稳压值会随温度变化，重要应用应配合温度补偿或选用更高精度器件。

六、封装与可靠性注意事项

• 封装为 LL-34，请按厂家推荐的焊接温度曲线执行，避免过热导致封装或焊接损伤。
• 在通孔或自动化贴装前检查元件方向（极性）和引脚清洁。
• 储存与搬运应注意防潮、防静电，长期储存请参照厂家包装建议。

七、常见问题与测试要点

• 测试稳压值时，应在指定稳压电流 Iz 下测量，以得到稳定、可比的结果。
• 漏电测试在 VR=1V 条件下进行以验证 Ir ≤100 nA。
• 若出现热漂大或稳压点偏移，应检查是否超出了 Pd 或器件受热不良。
• 在高频或快速瞬态环境中，注意并联旁路电容以改善响应速度与抑制振铃。

总结：ZMM5V6 以其 5.6V 标称电压、500mW 的功耗能力及低漏电特性，适合多种低功率稳压与保护场合。设计时合理选择稳压电流与串联阻抗，并注意散热与封装工艺，即可得到稳定可靠的性能表现。