JSM6288T 产品概述
一、产品概况
JSM6288T 是杰盛微(JSMSEMI)推出的一款用于驱动功率 MOSFET 的专用驱动器,封装为 TSSOP-20。器件支持低边与高边驱动配置,适配汽车与工业等对耐压、温度及可靠性有较高要求的电源与驱动场景。工作电压范围为 8V ~ 20V,工作温度范围为 -40℃ ~ +125℃,并集成欠压保护(UVP),静态电流仅 230 μA,适合对待机功耗敏感的系统。
二、主要电气参数
- 驱动类型:低边 / 高边(依系统接法配置)
- 负载类型:MOSFET
- 灌电流 IOL(吸电流):1.5 A
- 拉电流 IOH(源电流):1.8 A
- 上升/下降时间 tr / tf:30 ns(典型)
- 工作电压 VCC:8 V ~ 20 V
- 静态电流 Iq:230 μA
- 保护功能:欠压保护(UVP)
- 工作温度:-40℃ ~ +125℃
- 封装:TSSOP-20
三、功能特点与优势
- 宽电压范围(8–20V),能直接适配 12V/24V 车载及工业供电系统;
- 高峰值驱动能力(IOH 1.8A / IOL 1.5A),可高效驱动常见功率 MOSFET,缩短开关时间;
- 上升/下降时间 30ns,有利于降低开关损耗并提高效率(同时需配合合理阻尼以控制振铃);
- 极低静态电流(230 μA),满足低待机能耗设计;
- 集成欠压保护,避免驱动在电源不稳时造成 MOSFET 半导通或异常发热。
四、典型应用场景
- 汽车电子:车载 DC-DC、电机驱动、车灯控制与继电器替代;
- 开关电源:同步整流 MOSFET 驱动、功率变换器级联;
- 工业控制:步进/无刷电机驱动、逆变器与电源管理模块;
- 大电流开关:电池管理系统、负载开关应用。
五、使用建议与布板要点
- 电源去耦:VCC 端应在驱动器近旁并加大容量(10 μF + 0.1 μF)以抑制瞬态尖峰;
- 栅极电阻:建议在驱动引脚与 MOSFET Gate 之间串接合适的栅极电阻(10Ω–100Ω),平衡开关速度与电磁干扰、振铃;
- 引线与地线:功率回路走线短、粗,驱动地与功率地参考地应合理分割并在一点汇流;
- 保护元件:在输入侧与负载侧视情况加入 TVS、RC 吸收器或 snubber 降低过压风险;
- 热管理:TSSOP-20 封装需注意铜箔散热与焊盘设计,长时间大电流切换应评估器件温升并必要时做散热处理。
六、可靠性与测试要点
- 在高温(125℃)与低温(-40℃)下验证驱动特性与欠压保护动作;
- 在典型负载条件下测试开关损耗、栅极电压摆幅及对 MOSFET 的驱动一致性;
- 做瞬态电源跌落与上电斜率测试,确认 UVP 行为与系统稳定性。
七、封装与订购信息
- 型号:JSM6288T
- 封装:TSSOP-20
- 建议在采购与设计阶段向供应商获取最新数据手册、器件管脚图与评价板资料,以便完成电路设计与样机验证。
总结:JSM6288T 以其宽电压、低静态功耗与较高瞬态驱动能力,适合车载及工业级 MOSFET 驱动场景。合理的外部去耦、栅极阻尼与 PCB 布局是发挥其性能与保证系统可靠性的关键。若需更详细的电气特性曲线或参考设计,请参考厂商数据手册或联系供应商工程支持。