型号：
BSZ100N06LS3GATMA1
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TSDSON-8
批次：25+
包装：编带
重量：0.07g
其他：
-
描述：OptiMOS™ 60V is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control, solar micro inverter and fast switching DC-DC
库存数量
库存：
5000
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.67
5000+
1.59
产品参数
属性参数值
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)11A（Ta），20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）10 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.2V @ 23µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）45nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）3500pF @ 30V
功率耗散（最大值）2.1W（Ta），50W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-TSDSON-8
封装/外壳8-PowerVDFN
BSZ100N06LS3GATMA1 产品概述
一、器件简介
BSZ100N06LS3GATMA1 属于 Infineon OptiMOS™ 系列的 60V N 沟 MOSFET，针对同步整流和高效开关应用进行了优化。器件为表面贴装型（TSDSON-8 / 8-PowerVDFN 封装），适合空间受限且需要低导通损耗的电源与工业应用。
二、主要电气参数
- 漏－源耐压（Vdss）：60V
- 连续漏极电流（Id）：11A（Ta），20A（Tc）
- 导通电阻（Rds(on) 最大）：10 mΩ @ 20A，Vgs=10V
- 阈值电压（Vgs(th) 最大）：2.2V @ Id=23µA
- 栅极电荷（Qg 最大）：45 nC @ Vgs=10V
- 输入电容（Ciss 最大）：3500 pF @ Vds=30V
- 最大栅极电压：±20V
- 功率耗散：2.1 W（Ta），50 W（Tc）
- 工作结温（Tj）：-55°C ~ 150°C
三、典型应用场景
- 开关电源（SMPS）中的同步整流（服务器、台式机、平板充电器）
- DC-DC 转换模块的主/低侧开关
- 工业驱动（电机控制）与光伏微型逆变器
- 需要快速切换和低导通损耗的功率级
四、设计与使用要点
- 为发挥最低 Rds(on)，推荐 Vgs 驱动至 10V；4.5V 驱动时导通电阻将增大，适用于低电压驱动场景但需评估损耗。
- Qg≈45 nC，栅极驱动器需提供足够电流以获得期望的开关速度，同时权衡驱动损耗与 EMI。
- Ciss 较大（≈3500 pF），开关时电容充放电能量及电荷切换损耗不容忽视，尤其在高频下需注意开关损耗与电磁干扰。
- 严守 Vgs ±20V 限值，避免瞬态超压；布局上应尽量缩短栅、源回路，降低寄生电感以减少电压尖峰与振铃。
五、散热与封装建议
TSDSON-8（8-PowerVDFN）封装提供良好热性能，但在实际 PCB 设计中应：
- 在散热垫和器件引脚下布置足够铜面并连接到多层散热层，增加导热路径；
- 使用多孔过孔将热量引至内/底层铜，提升 Tc 条件下的电流承载能力；
- 在高功率工况下以 Tc 为参考评估持续导通能力，避免超过结温上限。
六、结论
BSZ100N06LS3GATMA1 以其 60V 电压等级、低 Rds(on) 和适中的栅极电荷，适合用于同步整流和高速开关电源场合。设计时需兼顾驱动能力与热管理，合理的 PCB 布局和门极驱动能最大化器件效率并确保长期可靠性。