型号：
BSZ040N04LSGATMA1
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TSDSON-8
批次：25+
包装：编带
重量：0.1g
其他：
-
描述：Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W;
库存数量
库存：
9
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.64
5000+
1.56
产品参数
属性参数值
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)18A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）4 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2V @ 36µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）64nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）5100pF @ 20V
功率耗散（最大值）2.1W（Ta），69W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-TSDSON-8
封装/外壳8-PowerTDFN
BSZ040N04LSGATMA1 产品概述
一、概述
BSZ040N04LSGATMA1 是英飞凌（Infineon）推出的一款 N 沟增强型 MOSFET，适用于中低压高效开关电源与功率分配场合。器件额定漏源电压 Vdss 为 40V，具备低导通电阻与较高电流承载能力，封装为 TSDSON-8（8-PowerTDFN），便于表面贴装与 PCB 热设计。
二、主要电气参数
- Vdss：40 V；
- 连续漏极电流 Id：18 A（Ta 条件），40 A（Tc 条件）；
- 最大导通电阻 Rds(on)：在 10 V 驱动下最大 4 mΩ（20 A 测试点）；在 4.5 V 驱动下亦能保持较低阻值（详见规格书曲线）；
- 门阈电压 Vgs(th)：最大 2 V（36 µA 测试电流）；
- 总栅极电荷 Qg：最大 64 nC（10 V）；
- 输入电容 Ciss：最大 5100 pF（Vds = 20 V）；
- 栅极最大承受电压：±20 V；
- 功率耗散 Pd：2.1 W（Ta，自由空气），69 W（Tc，基板/散热良好时）；
- 工作结温范围：-55°C 至 150°C。
三、封装与热管理要点
器件采用 PG-TSDSON-8（8-PowerTDFN）小体积封装，带暴露大底焊盘（thermal pad），便于通过 PCB 铜箔散热以接近额定 Tc 条件。由于 Ta 与 Tc 下电流与功耗差异较大，实际应用中需合理设计铜厚、散热层和过孔，保证在高占空比或高电流时器件结温控制在允许范围内。
四、开关性能与驱动建议
较低的 Rds(on) 与中等的 Qg 表明该 MOSFET 在导通损耗与开关损耗之间取得平衡。Qg ≈ 64 nC 要求驱动器具备足够的驱动能力以实现快速切换，从而降低开关损耗同时避免过度振铃。Ciss 较大，对布局的寄生电感较为敏感，推荐短引线、低环路电感的栅极回路和合适的门极电阻以抑制过冲与 EMI。
五、典型应用场景与使用建议
适合用于同步整流的降压转换器、点对点电源、负载开关、电机驱动低侧开关及车载 12V/24V 电源模块等。设计时应注意：
- 在 12V 系统中留足余量（Vdss = 40 V）；
- 根据工作条件参考 Rds(on) 随温度上升的变化曲线，预留热裕量；
- 严格遵守 ±20 V 的栅极电压限制，防止静电或瞬态击穿；
- 在高频切换场合优先采用低寄生的布局与合适的门驱。
结论：BSZ040N04LSGATMA1 以其 40 V 耐压、极低导通电阻和适中的开关特性，适合追求高效率与紧凑封装的功率电子设计。选型和布局配合良好的热管理可发挥其最佳性能，具体设计参数请参阅英飞凌的详细数据手册。