型号：
BSZ065N06LS5ATMA1
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TSDSON-8FL
批次：25+
包装：-
重量：-
其他：
-
描述：Infineon's OptiMOS™ 5 power MOSFETs logic level are highly suitable for wireless charging, adapter and telecom applications. The devices' low gate charge (Q g ) reduces switching losses without compromising conduction losses. The improved figues of merit allow operations at high switching frequencies. Furthermore, the logic level drive provides a low gate threshold voltage (V GS(th) ) allowing the MOSFETs to be driven at 5V and directly from
库存数量
库存：
677
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.98
5000+
1.88
产品参数
属性参数值
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))6.5mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)46W
阈值电压(Vgs(th))2.3V
栅极电荷量(Qg)13nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.8nF@30V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
BSZ065N06LS5ATMA1 产品概述
一、概述与定位
BSZ065N06LS5ATMA1 是英飞凌 OptiMOS™ 5 系列的逻辑电平 N 沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 60V、连续漏极电流 40A，适用于无线充电、适配器、通信电源等要求高开关频率与高效率的应用场景。器件在逻辑电平驱动（5V）下具有良好导通与开关折中，适合与现代同步整流和开关电源拓扑配合使用。
二、关键参数（典型与标称）
- Vdss：60V
- Id（连续）：40A
- RDS(on)：6.5mΩ @ VGS=10V, 20A
- Pd（耗散功率）：46W（封装限值）
- VGS(th)：2.3V（门限）
- Qg（门极电荷）：13nC @ VGS=4.5V
- Ciss（输入电容）：1.8nF @ 30V
- 工作结温：-55℃ ~ +150℃（Tj）
- 封装：TSDSON-8FL（低阻热路径，适合表面贴装）
三、主要特性与优势
- 低导通电阻（低 conduction loss）：6.5mΩ 在 10V 驱动下可显著降低导通损耗，提升效率并减少发热。
- 低门极电荷（低 switching loss）：13nC 的低 Qg 有利于降低开关损耗和驱动能量，适合高频开关应用。
- 逻辑电平驱动：门限电压 2.3V，能够在 5V 逻辑驱动下稳定导通，便于与微控制器或集成驱动器直接配合。
- 优化封装：TSDSON-8FL 提供较低的热阻，便于通过 PCB 铜箔散热，适合高功率密度设计。
四、典型应用建议
- 无线充电发射/接收端的同步整流与功率级。
- 手机/笔记本适配器、USB PD 电源开关与同步降压电路。
- 电信与服务器电源中的高频开关单元与旁路保护。
- 同步整流器、降压转换器（Buck）、半桥/全桥拓扑。
五、布局与热管理要点
- 门极走线尽量短，配合适当门阻（如 5–20Ω）以控制振铃与电磁干扰。
- 大面积主电流铜箔与底部热垫焊盘以降低结—壳热阻并保证 Pd 能力；必要时并联多只器件或增加 PCB 散热面积。
- 在高频应用中，靠近 MOSFET 放置低 ESR 电解/固态电容以抑制 dv/dt。
- 设计时基于工作电流计算 I^2·RDS(on) 导通损耗与开关损耗，并留足安全余量与结温限制。
总结：BSZ065N06LS5ATMA1 将 OptiMOS™ 5 的低 RDS(on) 与低 Qg 优势结合在小型 TSDSON-8FL 封装中，是对高频、高效率电源系统要求较高场合的理想器件。选型与设计时建议参考完整数据手册进行热阻、脉冲能力及开关损耗的精确计算。