STPS1H100UY 产品概述

一、产品简介

STPS1H100UY 为意法半导体（ST）出品的高压肖特基整流二极管，封装为 DO-214AA（SMA）。其典型正向压降为 770 mV（If = 1 A），直流反向耐压 100 V，额定整流电流 1 A，100 V 时反向电流仅 4 μA（常温），非重复峰值浪涌电流 Ifsm 高达 50 A，工作结温范围宽 (-40 ℃ 至 +175 ℃)。该器件在需要高压、低反向泄漏和快速整流的场合具有良好性能和平衡的参数组合。

二、主要性能特点

• 正向压降：Vf ≈ 770 mV @ 1 A，适用于中等电流下效率需求的整流场合。
• 反向耐压：Vr = 100 V，适合高电压轨的整流与保护。
• 低反向电流：Ir = 4 μA @ 100 V（常温），在高阻抗检流或高压保持电路中有优势。
• 峰值浪涌能力：Ifsm = 50 A（非重复），能承受短时浪涌或启动冲击。
• 宽温工作范围：-40 ℃ 至 +175 ℃，适合工业级和高温环境应用。
• 封装：DO-214AA（SMA），适于自动贴片与常规 PCB 装配，便于散热布局。

三、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）高压侧二次整流或回流二极管。
• DC–DC 转换器的整流与续流路径。
• 电池充电与电源保护电路的反向保护元件。
• 电信、工业电源与光伏逆变器的高压整流。
• 需要快速恢复和低反向泄漏的检测与保持电路。

四、设计与实用建议

• 热管理：尽管器件允许较高结温，长期连续 1 A 工作需合理 PCB 散热（扩大铜箔、靠近散热层或加散热铜柱），并考虑环境温度下的电流降额。
• 反向泄漏随温度呈指数上升：高温工况下 Ir 可能显著增加，设计时应确保漏电不会影响系统功能或引起额外发热。
• 浪涌保护：Ifsm 为非重复峰值，不能作为长期脉冲工作条件的依据。对频繁或不确定浪涌，应加软启动、电流限制或适当保险元件。
• 并联注意：若需并联以提升电流，应使用电流均衡措施（小电阻或匹配元件），肖特基器件间 Vf 差异会导致不均流。
• 高频开关注意肖特基结电容与开关损耗：尽管肖特基切换快，但在高频大电流环境中仍需评估结电容对效率的影响并视情况加入缓冲元件或滤波网络。

五、总结

STPS1H100UY 在高压肖特基类产品中提供了低反向泄漏、较高浪涌能力和宽温工作能力的平衡方案。其 100 V 的耐压与 770 mV 的 1 A 正向压降使其适用于工业、通信和电源领域的整流与保护任务。合理的 PCB 散热设计和对温度敏感性的考虑能最大化器件可靠性与性能。若需更低的 Vf 或更高的平均电流，应在 ST 产品线中比较其他型号以选择最合适的器件。