STTH110RL 产品概述

一、产品简介

STTH110RL 是意法半导体（ST）推出的一款高压快恢复（High Efficiency Fast Recovery）整流二极管，单管直流整流电流额定 1A，反向耐压达到 1kV。该器件在高压应用中提供低正向压降和较短反向恢复时间的折衷，适用于高效率开关电源和高压整流场合。

二、主要性能参数

• 正向压降 Vf：1.7V @ If = 1A
• 直流反向耐压 Vr：1000V
• 连续整流电流：1A
• 反向漏电流 Ir：10μA @ Vr = 1kV
• 反向恢复时间 Trr：75ns（典型）
• 非重复峰值浪涌电流 Ifsm：20A（一次性浪涌）
• 封装：DO-41 轴向引线（管帽带极性标识）

三、封装与机械信息

DO-41 轴向封装适合通过孔安装与手工或波峰焊接工艺。管体一端有醒目的带状极性标记（阴极），便于装配识别。对于长期可靠性和散热，建议参考原厂机械图和焊接工艺规范，避免超过推荐的焊接温度/时长。

四、关键特性与优势

• 高耐压：1kV 反向耐压使其可取代低压肖特基二极管在高压整流场合的应用，适合高压电源变换器。
• 低正向压降：1A 工作点下 Vf=1.7V，对于高压高速整流器件而言保持了较高效率。
• 低反向漏流：10μA@1kV 表明在高压阻断状态下漏电较小，有利于降低空载损耗和提高系统稳定性。
• 快恢复特性：75ns 的 Trr 相比普通慢恢复二极管能显著减少开关损耗与振铃，但仍比某些超快或零恢复器件回复时间稍长，适合对恢复特性有中高要求的场合。

五、典型应用

• 高压整流与二次侧整流（高压电源、医疗仪器电源）
• 功率因数校正（PFC）与 boost/反激/推挽型开关电源的整流与箝位
• 自由轮回与续流二极管（需要关注反向恢复造成的开关应力）
• 浪涌整流与一次侧高压回路

六、设计与使用建议

• 热管理：虽工作电流为 1A，仍需评估结温上升并采取适当散热或降低负载使用率，必要时在 PCB 上配合散热铜箔或外部散热器。
• 浪涌限制：Ifsm = 20A 为一次性峰值，避免反复承受接近该值的脉冲，必要时加限流器或软启动电路。
• 反向恢复处理：75ns 的恢复时间在高 dv/dt 场合可能引起开关管或寄生电感振铃，建议在关键位置加 RC 缓冲或吸收器以抑制过冲与 EMI。
• 布局原则：缩短回流路径、减小寄生电感，保持整流回路和开关元件之间的低阻抗直连。
• 选型核对：在高频或对极低 Vf 有严格要求的设计中，评估是否需改用专用超快或肖特基器件；若需更高电流或更低损耗，考虑并联或更高规格替代器件并验证热均匀性。

七、可靠性与注意事项

• 储存与焊接：遵循制造商封装与焊接推荐，避免潮湿和过高温度环境导致失效。
• ESD 与过压保护：高压应用中注意瞬态过压与雷击脉冲，必要时采用 TVS 或缓冲网络。
• 数据核验：在最终设计前请参照 ST 官方数据手册核对完整的电气特性、热参数（Rthjc、Rthja）及绝对最大额定值。

总结：STTH110RL 在 1kV 高压场合提供了良好的正向压降与可接受的快恢复性能，是高压整流、开关电源和 PFC 场景中兼顾效率与耐压的实用选择。实际应用时应重视热设计与反向恢复引起的瞬态问题，并按照厂方数据手册进行详细验证与可靠性评估。