TMMDB3 产品概述

一、概述与定位

TMMDB3 是意法半导体（ST）推出的一款触发二极管，采用 MiniMELF 封装，适用于需要稳定转折电压和较大通态电流的触发与脉冲应用。器件典型转折电压为 32V（范围 28V~36V），在脉冲触发和过压保护电路中表现可靠、响应迅速。

二、主要电气参数

• 转折电压（典型值）：32V，范围 28V~36V
• 转折电流（Ibo）：50 μA（典型）
• 通态电流（It）：2 A（持续通态能力）
• 上升时间（tr）：2 μs（快速触发响应）
• 工作结温范围：-40 ℃ ~ +125 ℃（Tj）

三、封装与热特性

MiniMELF 小型圆柱封装，体积小、热阻低，适合自动贴装与高密度设计。封装形式有利于散热与机械抗振，便于在空间受限的电路板上实现可靠布局。

四、典型应用场景

• SCR、TRIAC 驱动与触发电路：作为稳定位移元件，提供一致的触发电平。
• 脉冲发生器与定时电路：利用其可预测的转折行为生成稳定脉冲。
• 过压/浪涌保护：在可控触发点对瞬态电压进行钳位或触发后续保护器件动作。
• 工业控制与电源模块：适合集成在中低功率电源的控制与保护回路中。

五、设计与使用注意事项

• 转折电压存在器件间偏差（28V~36V），在精密触发电路中应考虑配对或进行测试筛选。
• 通态电流 2A 适合短时或受限持续负载，长时间高电流应注意散热与结温控制。
• 上升时间 2 μs 表示快速转折，但在高频或超快脉冲场合需验证动态行为与寄生参数影响。
• 请参考 ST 官方数据手册获取漏电、反向电压、非重复浪涌能力等完整电气特性以保证可靠性。

六、可靠性与选型建议

器件工作结温覆盖工业级范围（-40 ℃ 至 +125 ℃），适合大多数工业与消费类应用。选型时如需更高功率或更严格转折公差，可参考厂商同系列或替代型号，并在设计中留有热裕量与安全裕度。更多详细参数与封装机械图请参见 ST 官方文档。