型号:

UMH11NFHATN

品牌:ROHM(罗姆)
封装:SOT-363
批次:25+
包装:编带
重量:1g
其他:
-
UMH11NFHATN 产品实物图片
UMH11NFHATN 一小时发货
描述:数字晶体管 150mW 50V 100mA 2个NPN-预偏置
库存数量
库存:
2106
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.4408
3000+
0.3895
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE)30@5mA,5V
最小输入电压(VI(on))3V
输出电压(VO(on))100mV
输入电阻10kΩ
电阻比率1
工作温度-40℃~+150℃

UMH11NFHATN 产品概述

一、产品简介

UMH11NFHATN 是 ROHM(罗姆)推出的一款双通道预偏置数字晶体管(2×NPN),采用 SOT-363 超小封装。器件内部集成了基极限流电阻和偏置电阻,适合微控制器直接驱动与开关输出应用。其设计目标是用最少外围元件实现可靠的逻辑级开关功能,适用于空间受限以及对低电流、低电压驱动有要求的电路。

二、主要规格(典型/额定)

  • 集-射极击穿电压 Vceo:50 V
  • 集电极电流 Ic(最大):100 mA(单通道)
  • 功耗 Pd:150 mW(环温和封装限制下的最大耗散)
  • 直流电流增益 hFE:典型值 30(条件:Ic=5 mA,Vce=5 V)
  • 最小输入电压 VI(on):3 V(可由 3.3 V MCU 直接驱动)
  • 输出饱和电压 VO(on):约 100 mV(饱和时低压降)
  • 输入电阻:约 10 kΩ(内部基极限流/偏置网络)
  • 电阻比率:1(器件内部偏置电阻比接近 1,提供对称的偏置特性)
  • 工作温度范围:-40 ℃ ~ +150 ℃
  • 封装:SOT-363(超小型 6 引脚封装,适合高密度 PCB 布局)

三、性能亮点

  • 预偏置设计:内部集成基极限流和下拉/偏置电阻,简化外围电路,直接连接 MCU 或逻辑电平进行驱动,无需外部限流电阻。
  • 低饱和电压:输出饱和电压典型约 100 mV,有利于降低导通损耗并提升开关效率(在额定电流范围内)。
  • 适合低电流开关:100 mA 的集电极电流上限足以驱动小型继电器驱动、指示灯、光电隔离器或作为逻辑级电平转换器。
  • 宽温度范围与公司品质:-40 ℃ 至 +150 ℃ 的工作范围,适合工业级应用与高温环境。

四、典型应用场景

  • MCU/逻辑直接驱动开关(继电器驱动前级、LED 指示、低功耗负载开关)
  • 接口电平转换与开漏输出替代元件
  • 小信号开关、传感器输出驱动、外围电路隔离/缓冲
  • 空间受限设备与便携终端的开关元件

五、使用建议与注意事项

  • 功耗限制:器件最大耗散 Pd = 150 mW,需避免在高 VCE 与较大 IC 条件下长时间工作。在饱和导通状态(VO(on)≈0.1 V)时功耗很小,但在中间区或高电压下工作会显著增加功耗。举例:若 VCE = 25 V 且 IC = 10 mA,Pd = 250 mW,会超过器件额定耗散,需避免此类工况。
  • 驱动电平:VI(on) 最小 3 V,推荐与 3.3 V 或 5 V MCU 直接配合使用,确保输入电平能可靠使晶体管导通。
  • 热管理:SOT-363 封装散热能力有限,建议在 PCB 设计中使用较大的铜箔回流或散热过孔(视工艺允许)来改善热阻;并在布局上与热源保持适当间距。
  • 保护与可靠性:对于感性负载,需在外部并联二极管或采用适当的吸收器件;避免超过峰值集电极电流及反向电压应力。
  • 匹配与偏置:内部输入电阻约 10 kΩ,电阻比率接近 1,可提供平衡的偏置行为,但在特殊灵敏度场合仍建议在输入端加滤波或 RC 抑制以防止误触发。

六、封装与 PCB 注意

  • SOT-363(6 引脚)适合高密度布板,注意焊盘尺寸按厂家推荐值设置以保证可靠焊接。
  • 由于功耗和散热受限,建议在器件下方/附近配置铜箔散热区并使用多层 PCB 的内层接地/电源平面以利于热扩散。
  • 在高速开关或噪声敏感电路中,输入端加上小电容或 RC 滤波可以改善抗干扰能力。

UMH11NFHATN 以其预偏置、低饱和压和微型封装特点,为需要简洁外部电路与微控制器直接驱动的小功率开关场景提供了方便可靠的解决方案。在设计中需关注功耗与散热边界,合理选型并按推荐实践进行 PCB 布局与保护电路设计,可获得稳定的长期运行表现。