型号:

CMS04(TE12L,Q,M)

品牌:TOSHIBA(东芝)
封装:SOD-128
批次:25+
包装:编带
重量:1g
其他:
-
CMS04(TE12L,Q,M) 产品实物图片
CMS04(TE12L,Q,M) 一小时发货
描述:肖特基二极管 370mV@5A 30V 8mA@30V 5A
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最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.438
3000+
0.41
产品参数
属性参数值
正向压降(Vf)370mV@5A
直流反向耐压(Vr)30V
整流电流5A
反向电流(Ir)8mA@30V
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)70A

CMS04 (TE12L, Q, M) 产品概述

一、产品简介

CMS04 系列是东芝(TOSHIBA)推出的肖特基势垒整流二极管,封装为 SOD-128,额定整流电流 5A,反向耐压 30V,具有低正向压降与快速响应特性。典型正向压降为 0.37V @ 5A,非重复峰值浪涌电流 Ifsm 达到 70A,适合中高电流的开关电源与功率整流场合。

二、主要参数(关键规格)

  • 正向压降 (Vf): 0.370V @ If = 5A(典型值)
  • 直流反向耐压 (Vr): 30V(最大反向电压)
  • 额定整流电流: 5A(连续)
  • 反向电流 (Ir): 8mA @ Vr = 30V(常温条件下典型或最大值,受温度影响较大)
  • 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 70A(单次脉冲,测量条件请参照厂商 datasheet)
  • 封装: SOD-128(表面贴装,体积小、占板面积小)

三、性能特点与优势

  • 低压降:0.37V 的正向压降在 5A 电流下可显著降低导通损耗,与普通硅整流二极管相比能提高系统效率、减小发热。
  • 快速切换:肖特基二极管无显著恢复电荷,适合高频开关电源、DC-DC 转换器中的整流或回授回路。
  • 抗冲击能力:70A 的峰值浪涌能力可承受一定开机/短时过载冲击,但不宜长期重复承受大浪涌。
  • 封装优势:SOD-128 适合自动贴装与批量生产,占板面小但热阻相对较高,需注意散热设计。

四、热管理与安全工作点计算

在满载 5A 时,器件功耗约为 P = Vf × I = 0.37V × 5A = 1.85W。考虑 SOD-128 的有限散热能力,建议:

  • 在 PCB 上预留宽铜皮并配置热沉区域、热过孔(thermal vias)以降低结温;
  • 在高环境温度或连续大电流情况下对整流电流进行降额(derating);
  • 注意反向泄漏导致的反向功耗:在 Vr=30V 且 Ir=8mA 时,泄漏功耗约为 0.24W,长期在高 Vr 或高温下会明显增加结温。

五、典型应用场景

  • 开关电源输出整流与同步降压回路;
  • 车载电子(低压电源、保护二极管,注意车载高温环境对漏电的影响);
  • 电池管理、充放电路径保护、反向保护二极管;
  • 二次侧整流、回馈/续流二极管、低压差稳压应用。

六、选型与使用建议

  • 若应用在高环境温度或需要非常低漏电的场合,应核对 Ir 随温度上升的曲线,必要时选择更高 Vr 或低漏电型号;
  • 对于持续 5A 工作,务必做好 PCB 散热设计并验证结温(Tj)不超过器件最大额定;
  • 浪涌能力受脉冲宽度和初始结温影响,Ifsm 数据通常基于特定波形(如 10ms),在实际设计中留有裕量;
  • 比较同类产品时,关注 Vf、Ir、封装热阻以及寿命/可靠性数据,选择与系统要求匹配的型号。

七、可靠性与注意事项

  • 肖特基结构对温度敏感,漏电随温度急剧增加,长时间在高 Vr 和高温下工作会加速失效;
  • SOD-128 为小体积封装,频繁的热循环或焊接应力可能影响可靠性,建议遵循东芝的焊接/回流工艺规范;
  • 在高浪涌或短路条件下,需配合熔断器或限流保护电路以防器件过热损坏。

八、结语与资料获取

CMS04(TE12L,Q,M)是一款适用于中等电流、低压差整流与保护用途的肖特基二极管,兼顾效率与成本。具体参数曲线、热阻、测试条件与封装外形建议参照东芝官方 datasheet,以获得完整设计依据与可靠性数据。购买或替换时请核对完整型号与封装代码。