GC3D10170A 产品概述

一、概述

GC3D10170A 是 SUPSiC（国晶微半导体）推出的一款高压碳化硅（SiC）肖特基整流二极管，针对高压、高效能电力电子应用优化设计。该器件具有1700 V 反向耐压、低正向压降、极低反向漏电流以及宽工作结温范围，适合作为高压整流、PFC 前端、逆变器及高压开关电源中的主整流/自由轮回元件。

二、主要参数（关键点）

• 额定整流电流（IF）：14.4 A
• 典型正向压降（Vf）：1.7 V（工作状态下表现优异，明显低于同等硅器件）
• 直流反向耐压（Vr）：1700 V
• 反向电流（Ir）：60 pA @ 1700 V（极低漏电，有利于降低空载及高压工况损耗）
• 非重复峰值浪涌电流（Ifsm）：55 A（一次性冲击能力，可承受短时浪涌）
• 工作结温范围（Tj）：-55 ℃ ~ +175 ℃
• 封装：TO-220-2，便于散热与安装

三、性能亮点与应用价值

• 高电压能力（1.7 kV）：适合高压直流链路与高压整流场景，如光伏逆变器、风电整流、HVDC 子系统、工业高压电源等。
• 极低反向漏电：1700 V 下仅 60 pA，有利于降低静态损耗及系统漏电能耗，提升高压系统的可靠性与效率。
• 低正向压降：1.7 V 的低 Vf 在大电流整流时可显著减少导通损耗，降低散热要求并提升效率。
• 宽温度范围与耐热能力：最高结温可达 175 ℃，适合高温工作环境或紧凑型系统中减少冷却开销。
• 快速无反向恢复特性：SiC 肖特基的无或极小反向恢复电荷，有利于高频开关电路中降低开关损耗与电磁干扰。

四、封装与热管理（实用建议）

GC3D10170A 采用 TO-220-2 封装，便于通过螺栓固定在散热片上进行热管理。实务设计建议：

• 必要时采用导热垫或填充硅脂以改善热阻并保证良好热传导。
• 在高功率或持续大电流工作下，需做热仿真并考虑适当的散热余量与温度保护。
• 安装与螺栓扭矩、绝缘垫片及外壳电气连接方式请遵循供应商数据手册。

五、设计注意事项

• 并联使用时注意电流分享：若需并联以提升电流能力，应采取限流或热阻匹配等手段，避免单只器件过载。
• 抗浪涌能力有限：55 A 为非重复峰值浪涌，适用于短时冲击；在频繁冲击或长期浪涌工况下需额外保护或选型冗余。
• 布局与寄生电感：高速切换或高 dv/dt 场景下应减小回流回路长度、优化走线，以降低电压尖峰和 EMI。
• 过压与瞬态保护：在可能出现过压/雷击等瞬态事件的系统中，建议配合合适的 TVS 或浪涌抑制器使用。

六、典型应用场景

• 高压开关电源（HV DC-DC）和整流器
• 功率因数校正（PFC）级的高压整流
• 光伏并网逆变器与储能系统的高压整流段
• 电动车充电桩、高压充电/放电模块
• 工业高压电源与实验室电源设备

七、可靠性与资料获取

GC3D10170A 的高温工作能力与低漏电特性使其在严苛工况下具有良好的可靠性表现。但最终的可靠性仍依赖于系统层面的热设计、应力循环与工作条件。关于详细的电气特性曲线、热阻、引脚定义、最大额定值及封装尺寸，请以 SUPSiC 官方数据手册为准；采购、样品及批量认证信息建议通过 SUPSiC 或其授权分销渠道获取。

总结：GC3D10170A 以其1700 V 高压等级、低 Vf、超低漏电和宽温范围，在高压、高效能电力电子系统中是兼顾效率与可靠性的优选整流器件。若需进一步的电性能曲线、典型应用电路或热仿真数据，可提供目标应用场景，我将协助给出更具体的设计建议或检索相应资料。