型号:

GAQW212G2EH

品牌:SUPSiC(国晶微半导体)
封装:SMD8
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
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4.69
1000+
4.5
产品参数
属性参数值
触点形式2A(双刀单掷-常开)
连续负载电流2A
负载电压60V
正向压降(Vf)1.2V
正向电流(If)30mA
导通电阻68mΩ
隔离电压(Vrms)5kV
导通时间(Ton)1.5ms
截止时间(Toff)50us
输入类型AC,DC
工作温度-40℃~+85℃
总功耗(Pd)650W

GAQW212G2EH 产品概述

GAQW212G2EH 是 SUPSiC(国晶微半导体)推出的一款 SMD8 封装高隔离固态输出器件,适用于小功率、高可靠性的开关控制场合。器件以低导通电阻、宽输入兼容性和高隔离电压为主要卖点,适合用于工业控制、通信电源、仪器仪表等需要电气隔离和低损耗直流或交流负载开关的应用。

一、主要技术参数速览

  • 触点形式:2A(双刀单掷,常开)
  • 连续负载电流:2 A
  • 负载电压:60 V
  • 输入正向压降(Vf):约 1.2 V(If = 30 mA)
  • 输入正向电流(If):30 mA(典型工作值/驱动参考)
  • 导通电阻(Rds(on)):68 mΩ(输出导通时参考)
  • 隔离电压(Vrms):5 kV
  • 导通时间(Ton):1.5 ms
  • 截止时间(Toff):50 μs
  • 输入类型:AC / DC 兼容
  • 工作温度:-40 ℃ ~ +85 ℃
  • 封装:SMD8
  • 总功耗(Pd):650 W(规格标注,请在实际系统设计中确认散热与应用限制)

二、关键特性与工程含义

  • 低导通电阻(68 mΩ):在额定电流 2 A 下,导通压降约为 0.136 V,导通损耗约为 0.272 W(I^2·R),对系统热预算有利,适合连续导通场合。
  • 高隔离(5 kVrms):输入与输出之间具备较强的电气隔离能力,适用于需要满足安全与信号隔离要求的系统。
  • 输入兼容 AC/DC:支持交流或直流驱动,便于与不同类型的驱动电路配合使用;输入典型正向压降约 1.2 V(If = 30 mA),驱动电流设计请参考此值并留有裕量。
  • 开/关响应特性:导通时间 1.5 ms,关断时间 50 μs,表现为导通较慢、关断较快。对 PWM 或短脉冲控制时需评估最小脉宽与延时特性。
  • 宽工作温度与 SMD8 小型封装:适配工业级环境并利于 SMT 大规模生产与密集布板。

三、典型应用场景

  • 工业控制输出模块、可编程逻辑控制器(PLC)的小电流输出通道
  • 仪器仪表与测试设备中的电气隔离开关
  • 通信设备中的外围负载开关、继电器替代方案
  • 需要长寿命、无机械磨损的固态开关场合

四、设计与使用建议

  • 驱动电流:建议按照 If = 30 mA 作为驱动参考值,并在实际电路中留足余量与限流措施,避免长时间满载导致 LED 寿命或驱动器过热。
  • 热设计:尽管器件导通损耗较低,但需注意 PCB 散热(加大铜箔面积、设置过孔、靠近散热面布局)。规格中的 Pd(650 W)为厂方标注参数,实际应用时请与供应商或数据手册核实热阻与允许功耗条件。
  • 抗浪涌与感性负载:对于感性或存在较大浪涌电流的负载,建议外部并联限流器、浪涌抑制元件(TVS、电阻或 RC 吸收)以保护器件。
  • 开关频率与脉冲:导通时间较长(1.5 ms),不适合高频开关应用;若应用需短脉冲或高频 PWM,请按最小脉宽和平均功率重新评估。
  • PCB 布局:SMD8 封装要求合理的焊盘和热沉布局;输入侧与输出侧应保留必要的爬电距离与焊盘隔离以维持 5 kVrms 隔离性能。

五、可靠性与选型注意事项

  • 温度与降额:在高温工作环境下,应对最大连续电流进行降额设计,确保长期可靠性。
  • 验证测试:在批量使用前建议做系统级的热循环、隔离耐压与长期寿命测试,尤其在涉及安全隔离要求的产品中。
  • 数据手册核对:在最终设计前,请务必参照 SUPSiC 官方数据手册确认所有参数、绝对最大额定值及封装焊盘尺寸。

结论:GAQW212G2EH 以低导通损耗、高隔离电压与 AC/DC 兼容输入为特点,适合用作要求电气隔离且负载较小的固态开关解决方案。在使用时应重视热管理、驱动电流和开关时序特性,以确保器件在系统中的长期稳定性和可靠性。若需更详细的电气特性曲线或封装尺寸,请参阅厂方数据手册或联系 SUPSiC 技术支持。