型号:

BAS21

品牌:Hottech(合科泰)
封装:SOT-23
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
BAS21 产品实物图片
BAS21 一小时发货
描述:开关二极管 独立式 1.25V@200mA 250V 200mA
库存数量
库存:
5417
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0346
3000+
0.0275
产品参数
属性参数值
二极管配置独立式
正向压降(Vf)1V@100mA
直流反向耐压(Vr)250V
整流电流200mA
耗散功率(Pd)225mW
反向电流(Ir)100nA@200V
反向恢复时间(Trr)50ns
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)2.5A

BAS21 开关二极管 产品概述

一、产品简介

BAS21(Hottech / 合科泰)是一款独立式开关二极管,采用 SOT-23 小型封装,面向高电压、低功耗的小信号开关和整流应用。器件在高达250V的反向电压下具有极低的反向漏电(100nA@200V),并具备快速恢复特性(Trr≈50ns),适合高频开关场合及保护、耦合、钳位等功能。

二、主要电气参数(关键规格)

  • 极限反向电压 Vr:250 V
  • 正向压降 Vf:1.0 V @ 100 mA;约 1.25 V @ 200 mA(典型)
  • 最大整流电流 If(AV):200 mA
  • 非重复峰值浪涌电流 Ifsm:2.5 A(瞬时脉冲)
  • 反向电流 Ir:100 nA @ 200 V(典型/最大条件)
  • 反向恢复时间 Trr:约 50 ns(快速开关)
  • 耗散功率 Pd(封装):225 mW(SOT-23 封装内限定值)

三、热性能与使用注意

SOT-23 为小型塑料封装,热阻较大,因此器件的耗散功率受限(Pd = 225 mW)。在实际选型时应注意功耗计算:

  • 例如当 If = 200 mA 且 Vf ≈ 1.25 V 时,瞬时耗散 P = Vf × If ≈ 250 mW,已超过封装额定 Pd(225 mW),不宜长期连续工作。
  • 建议在持续工作时按热耗散进行降额:Pd / Vf 给出安全连续电流上限;以 Vf = 1.25 V 为例,安全连续 If ≈ 180 mA 附近,更稳妥的做法是限制在 100–150 mA 范围并保证PCB散热。
  • 对于脉冲或短时浪涌(Ifsm = 2.5 A),允许短时通过,但必须控制占空比与频率以免过热。

四、应用场景

  • 高压信号整流与耦合:250 V 反向耐压适合较高电压的信号通路或偏压回路。
  • 高频开关与门驱动回路:50 ns 的反向恢复时间支持中高速开关应用。
  • 保护与钳位:用于输入反向保护、小功率浪涌吸收与过压钳位。
  • 小功率开关电源的辅助整流、取样与检测电路。

五、封装与电路布局建议

  • 封装:SOT-23,体积小、适合集成电路板空间受限处。
  • 布局建议:尽量缩短引线与焊盘走线,减小寄生电感;为改善散热,可将焊盘与大地平面或热铜区连通,增加散热能力。
  • 焊接与可靠性:遵循常规 SMD 回流焊工艺,避免多次高温循环;避免超出器件额定温度和机械应力。

六、选型建议与常见注意事项

  • 若电路需要长期200 mA 连续导通,建议选择功率能力更高的封装或器件,或在 PCB 上做良好散热处理。
  • 对于高速开关应用,50 ns 恢复时间较适合,但如果对开关损耗极为敏感可考虑专用快恢复或肖特基二极管。
  • 在高压低泄漏场合,BAS21 在 200 V 下的 100 nA 级漏电使其成为良好选择,但仍应按实际温度和工况核实泄漏变化。

如需器件完整的电气特性曲线、典型波形、封装尺寸或回流焊温度曲线,建议索取 Hottech(合科泰)官方 Datasheet 以获得详细参数及可靠性数据。