型号:

S9012

品牌:Hottech(合科泰)
封装:SOT-23
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
S9012 产品实物图片
S9012 一小时发货
描述:SOT-23 PNP
库存数量
库存:
4053
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0277
3000+
0.022
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)25V
耗散功率(Pd)300mW
直流电流增益(hFE)400@50mA,1V
特征频率(fT)150MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))600mV@500mA,50mA
射基极击穿电压(Vebo)5V
数量1个PNP

S9012(SOT-23,PNP)产品概述

一、产品简介

S9012 是合科泰(Hottech)推出的一款采用 SOT-23 小封装的 PNP 晶体管,面向通用放大与开关场合。器件在小体积下提供较高的直流增益和较大的集电极电流能力,适合便携电子、信号处理和功率受限的驱动电路。

二、主要参数

  • 晶体管类型:PNP,封装:SOT-23
  • 直流电流增益 hFE:400(测量条件 50mA,VCE=1V)
  • 集电极最大电流 Ic:500mA(瞬态/峰值视实际散热与封装能力)
  • 集电极-射极击穿电压 Vceo:25V
  • 射极-基极击穿电压 Vebo:5V(注意:反向基射电压限制)
  • 特征频率 fT:150MHz(适合宽带放大应用)
  • 集电极截止电流 Icbo:100nA(低漏电流,适合低功耗电路)
  • 集射极饱和电压 VCE(sat):约600mV(在 500mA 与 50mA 条件下测得)
  • 功耗 Pd:300mW(封装热限制,需考虑 PCB 散热)

三、性能与特性

  • 高 hFE:在中等电流(50mA)下 hFE 达 400,便于用于小信号放大和电流放大级,能够用较小基极驱动电流控制较大的集电极电流。
  • 高频特性:fT=150MHz,使其在音频至较高频率的放大与缓冲电路中表现良好。
  • 低漏电流:Icbo 仅 100nA,利于低静态电流电路设计与长期偏置稳定性。
  • 限制与保护:Vceo 25V 与 Vebo 5V 显示器件适用于低压系统,基极反向电压需要严格限制以免损坏。

四、应用场景

  • 低电压高增益放大器、前置放大级与差分电路
  • 高侧开关与小电流驱动(因为为 PNP,常用于正电源侧控制)
  • 电流镜与电流源电路、信号级电平转换
  • 便携式设备、消费电子、通信前端的信号放大与缓冲

五、封装与安装建议

  • SOT-23 小封装便于表面贴装,适合自动化贴装生产。由于 Pd 仅 300mW,实际集电极电流与功耗要考虑 PCB 铜箔面积与散热路径。
  • 推荐在 PCB 上扩大与集电极/散热相关的铜箔面积,并尽量靠近地/电源平面以改善热流。必要时加宽走线以降低温升。

六、典型使用注意事项

  • 限制基极反向电压:Vebo=5V,反向基-射电压超过该值会导致永久损伤,应加保护网络(限流电阻或钳位二极管)。
  • 饱和与功耗:VCE(sat) 约 600mV 在高电流下会产生明显功耗。500mA 工作时需关注结温与器件寿命,建议在连续大电流场合保持余量或选择更高功耗器件。
  • 验证引脚排列:不同厂家 SOT-23 引脚定义可能存在差异,设计前请以合科泰官方数据手册为准。

七、选型与替代

S9012 在小封装与高 hFE 场合具有优势。若需要更高功耗或更低 VCE(sat),应选择大封装功率晶体管或专用功率开关。相近替代可考虑其他厂家的 SOT-23 PNP 小信号晶体管,但请对比 Vceo、hFE、Pd 与 VCE(sat) 等关键参数以确保兼容。

备注:本文为产品概述,具体电气特性曲线、引脚图及热阻等详见合科泰官方数据手册。购买与设计时建议参考原厂完整规格书并进行实际评估与测试。