DMN10H100SK3-13 产品概述

一、核心规格概览

DMN10H100SK3-13 是 DIODES（美台）出品的一只 N 沟道功率 MOSFET，面向中小功率开关和转换应用。主要参数如下：

• 类型：N 沟道 MOSFET（单只）
• 漏源耐压 Vdss：100 V
• 连续漏极电流 Id：18 A
• 导通电阻 RDS(on)：80 mΩ @ VGS = 10 V
• 最大耗散功率 Pd：37 W（封装及散热依赖）
• 阈值电压 VGS(th)：3.0 V @ ID = 250 μA
• 总栅极电荷 Qg：25.2 nC @ VGS = 10 V
• 输入电容 Ciss：1.172 nF @ VDS = 50 V
• 反向传输电容 Crss（Miller）：31.3 pF @ VDS = 50 V
• 工作温度范围：-55 ℃ 至 +150 ℃
• 封装：TO-252（DPAK）
• 数量：1 件

二、主要特性与优势

• 100 V 耐压与 18 A 连续电流的组合适合工业和汽车等需要较高耐压的平台级应用。
• 在 VGS=10 V 时 RDS(on) 为 80 mΩ，适用于中等功率开关场合，能在较低的导通损耗下工作。
• 较低的总栅极电荷（25.2 nC）和 Ciss（约 1.17 nF）意味着器件具有良好的开关速度和较低的栅驱能耗。
• 反向传输电容 Crss 约 31.3 pF，有助于评估 Miller 效应对开关过渡的影响，便于设计 dv/dt 控制措施。
• TO-252（DPAK）封装提供了方便的 SMT 安装方式，配合适当的 PCB 散热结构可充分发挥功率能力。

三、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）中的功率开关或同步整流（需注意导通电阻和开关频率的匹配）
• DC–DC 调节器、降压/升压转换模块
• 电机驱动（中小功率电机）与电子负载切换
• LED 驱动与恒流源（在适当热设计下）
• 工业控制、家电及电池管理系统中的高侧/低侧开关（需配合栅极驱动方案）

四、热管理与封装注意事项

• 标称耗散功率 Pd = 37 W 是在特定散热条件下的数值，实际可用功耗强烈依赖于 PCB 散热面积、铜厚、热焊盘设计及环境温度。TO-252 为表面贴装功率封装，通常需要在 PCB 下方/后方配备大面积铜箔和多孔过孔来传导热量到大面积散热层。
• 在高环境温度或持续大电流工作状态下，必须进行温升与散热仿真并做上必要的功率降额（热结点与封装极限须满足器件最大结温）。
• 建议在布局中为 Drain 引脚和散热焊盘留足铜面积，并配合过孔与散热层连接，以降低结-周围温差。

五、栅极驱动与开关性能建议

• VGS(th)=3 V（@250 μA）表示器件并非典型的“逻辑电平” MOSFET，若需获得标称 RDS(on)，推荐栅极驱动电压为 8–10 V；若仅由 5 V 驱动，则 RDS(on) 会明显上升。
• 基于 Qg = 25.2 nC @ 10 V，可估算栅极充放电能量：E_gate ≈ 0.5 * Qg * VGS ≈ 0.5 * 25.2e-9 * 10 ≈ 126 nJ/切换。以 100 kHz 开关频率计，栅极驱动损耗约 12.6 mW（不包括开关重叠损耗）。
• Miller 电容（Crss ≈ 31.3 pF）会在开关瞬态中产生电压回升和延时，建议根据开关过渡速率在栅极串联合适阻值的栅阻，以平衡 dv/dt 限制与开关损耗。对高 dv/dt 环境可考虑增加栅极吸收或缓冲网络。
• 开关瞬态可能产生较大能量重叠损耗，请在电路中配置吸收网络（RC 吸收、RCD 或 TVS）以保护器件并控制电压尖峰。

六、PCB 布局与可靠性建议

• 栅极走线尽量短且粗，以减小寄生电感并保证驱动回路低阻抗；将驱动器和 MOSFET 靠近放置。
• Drain 焊盘应设计大面积铜箔并与多层散热层或底层大铜面热连接；必要时采用热过孔增加热流通路。
• 对敏感控制信号采用适当的去耦和地回流管理，避免开关噪声干扰控制侧。
• 注意静电防护，制程与手工焊接时遵循静电放电（ESD）防护规范。器件的工作与存储温度范围为 -55 ℃ 至 +150 ℃。

七、选型建议

若系统以 10–12 V 栅极驱动并要求 100 V 耐压、18 A 连续电流级别且需要中等开关速度，DMN10H100SK3-13 是合适的选择。若需在 5 V 驱动下获得低 RDS(on)，应选取标注为“logic-level”且在 VGS=4.5V/5V 下有低 RDS(on) 的替代型号。选择时也应结合封装散热能力与系统频率对开关损耗的要求一并评估。