型号:

TLV7021DBVR

品牌:TI(德州仪器)
封装:SOT-23-5
批次:24+
包装:未知
重量:-
其他:
-
TLV7021DBVR 产品实物图片
TLV7021DBVR 一小时发货
描述:比较器 78dB 14mV 8mV 5pA
库存数量
库存:
5618
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.27
3000+
1.2
产品参数
属性参数值
比较器数单路
输入失调电压(Vos)8mV
输入偏置电流(Ib)5pA
传播延迟(tpd)260ns
滞后电压(Vhys)14mV
共模抑制比(CMRR)78dB
输出类型开漏
轨到轨轨到轨输入
静态电流(Iq)5uA
工作温度-40℃~+125℃
最大电源宽度(Vdd-Vss)6V
单电源1.6V~5.5V
输入失调电流(Ios)1pA
响应时间(tr)5ns

TLV7021DBVR 产品概述

一、主要特性

TLV7021DBVR 是德州仪器(TI)推出的一款低功耗、单路比较器,适用于便携与电池供电系统。器件支持单电源工作,电源电压范围为 1.6V 至 5.5V(最大允许 VDD–VSS 为 6V),具备轨到轨输入特性,输入能覆盖整个电源轨,便于直接检测电池或微弱信号。核心性能包括:输入失调电压 Vos = 8 mV、输入偏置电流 Ib = 5 pA、输入失调电流 Ios = 1 pA、静态工作电流 Iq = 5 µA、滞后电压 Vhys = 14 mV、共模抑制比 CMRR = 78 dB。输出为开漏结构,传播延迟 tpd = 260 ns,响应时间 tr = 5 ns,工作温度范围 −40℃ 至 +125℃。

二、封装与引脚

该器件采用 SOT-23-5 小型封装,适合空间受限的移动设备与工业控制板。输出为开漏,需要外接上拉电阻到所需的逻辑电平(上拉电压不得超过器件允许的 VDD)。单路结构便于点对点门限比较、低功耗唤醒电路设计等。

三、典型性能要点

  • 低静态电流:Iq = 5 µA,适合低功耗/电池应用。
  • 极低输入偏置电流:Ib = 5 pA / Ios = 1 pA,适合高阻抗传感器与分压网络,减少测量误差。
  • 输入失调与滞后:Vos = 8 mV、Vhys = 14 mV,提供稳定的阈值切换与抗抖动能力。
  • 开漏输出:方便与不同逻辑电平接口,但需外接上拉电阻并注意上拉电流对静态功耗的影响。
  • 宽温度范围与良好共模抑制:适合工业级应用。

四、典型应用场景

  • 电池电压监测与欠压/过压检测
  • 低功耗传感器前端与阈值触发器(唤醒 MCU)
  • 门限比较、零交叉检测、简单的模拟开关控制
  • 工业控制与测量系统中要求高输入阻抗的比较检测

五、设计与使用建议

  • 由于输出为开漏,选择合适的上拉电阻(典型 10 kΩ–100 kΩ)以在功耗与开关速度间平衡;若要求更快上升沿可降低阻值,但会增加静态消耗。
  • 对于高阻抗输入(例如兆欧级分压),应保持输入走线短且洁净,避免焊接残留或潮气引起泄漏电流影响精度。
  • 电源旁路:建议在 VDD 旁并联 0.1 µF 陶瓷电容,靠近器件布置以抑制电源噪声,改善比较器抖动性能。
  • 若需更明确的门限抗抖动,可结合外部正反馈网络(少量滞后)调整有效 Vhys。

六、可靠性与选型提示

TLV7021DBVR 提供工业级温度覆盖(−40℃ 至 +125℃),在选型时考虑系统最大允许电源电压(不可超过 6V)。其超低偏置电流与低静态电流使之在长寿命电池设备中非常合适。若需要推挽输出或更高驱动能力,应选用具有推挽输出的比较器型号。

总结:TLV7021DBVR 是一款面向低功耗、高阻抗输入场景的单路轨到轨比较器,SOT-23-5 小封装与良好的温度与电气特性,使其成为电池监测、传感器接口与低速阈值检测的可靠选择。