SI7615CDN-T1-GE3 产品概述

一、主要参数概览

SI7615CDN-T1-GE3 是 VISHAY 推出的 P 沟道功率 MOSFET（PowerPAK1212-8 封装）。关键参数如下：漏-源耐压 Vdss = 20 V（P 沟道器件为负极性）；连续漏极电流 Id = 35 A（在良好散热条件下）；导通电阻 RDS(on) = 20.3 mΩ @ Vgs = -1.8 V、Id = 2 A；耗散功率 Pd = 33 W；栅极阈值电压 |Vgs(th)| ≈ 1 V；总栅极电荷 Qg = 111 nC @ 8 V；输入电容 Ciss = 3.86 nF，反向传输电容 Crss = 390 pF，输出电容 Coss = 425 pF；工作温度范围 -55 ℃ ~ +150 ℃。

二、产品特性亮点

• 低电阻逻辑电平型 P 沟道：在较小负栅压下即可实现较低 RDS(on)，适合需要简单高端开关的场合。
• 大电流承载能力：35 A（受限于封装与散热），适合中大电流开关或保护场景。
• 紧凑封装 PowerPAK1212-8：体积小、热阻低，利于高密度 PCB 布局。

三、电气性能要点

• RDS(on) 在 Vgs ≈ -1.8 V 时已达到 20.3 mΩ，表明该器件对低电压栅极驱动友好；若需更低损耗，可在允许的 Vgs 下进一步驱动（参考厂家绝对最大 Vgs）。
• 较大的栅极电荷（Qg = 111 nC @ 8 V）提示开关切换能量和驱动需求较高，快速切换时需要能力足够的驱动器或考虑开关损耗。
• Ciss/Crss/Coss 指数说明在高速开关时的回路耦合与功率损耗影响，应与驱动及布局共同优化。

四、封装与散热考量

PowerPAK1212-8 提供较低的热阻，但器件的 33 W 耗散功率是参考条件下的值，实际应用需依据 PCB 铜皮面积、过孔（thermal vias）和散热路径评估结-壳/结-铜的温升。建议在封装底部与漏极散热区增加大面积铜箔并配合多孔过孔下导层以提高散热效率。

五、典型应用场景

• 低压系统的高端开关/负载断开（汽车电子、储能、电源输出开关）
• 电池管理/反向保护与电源路径切换（便于在正轨上做断开）
• 电源控制、负载切换、功率分配模块（PMM）等需要 P 沟道高端开关的场合

六、设计与驱动建议

• 由于 Qg 较大，若要求快速开关，应选用驱动电流充足的栅极驱动器，或在驱动端并联低阻抗的功率驱动元件；若驱动资源受限，可选择较慢的切换以限制开关损耗。
• 栅源电压极性与幅值：P 沟道通常以负 Vgs 导通（Vgs = 0 关，负值导通）；建议参考生产商 datasheet 的最大 Vgs 限值，避免栅极过压。
• 布局上尽量缩短高电流回路与源/漏走线，增大铜箔面积并加过孔以降低散热阻抗与导通损耗。

七、可靠性与使用注意

• 工作温度范围广，但长期高温下会影响 RDS(on) 与寿命，实际设计需保证结温在安全范围内。
• 在并联使用多片器件时注意 RDS(on) 的散布与热失配，必要时采用热均衡或串联电阻。
• 具体绝对最大值（如 Vgs 最大允许值、瞬态能量等）与封装机械细节请以 VISHAY 官方 datasheet 为准，设计时参考并遵循厂商推荐的应用电路与布局指南。

总体而言，SI7615CDN-T1-GE3 是一款适合低压系统高端开关与电源路径控制的 P 沟道 MOSFET，兼顾低导通阻抗与紧凑封装，适用于空间受限但需较大电流的应用场景。