CMS11 (TE12L, Q, M) 肖特基二极管 产品概述

一、概述与主要参数

CMS11（TE12L 系列封装 Q、M）为东芝（TOSHIBA）生产的肖特基整流二极管，面向中小功率开关与整流应用。主要电气参数如下：正向压降 Vf ≈ 550 mV @ 2 A；额定整流电流 IF = 2 A；直流反向耐压 VR = 40 V；反向电流 IR = 500 μA @ 40 V；非重复峰值浪涌电流 Ifsm = 30 A；工作结温范围 TJ = -40 ℃ ~ +150 ℃。封装为 SOD-128，适合表面贴装工艺。

二、产品特点

• 低正向压降：在 2 A 条件下 VF 约 0.55 V，有助于降低导通损耗与升温，提升效率。
• 快速恢复和低结电容：肖特基特性使得开关损耗小，适合高频开关电源和功率转换场景。
• 合理的冲击承受能力：Ifsm 30 A（非重复峰值浪涌）可满足启动冲击或短时浪涌条件。
• 宽温度范围：-40℃ 至 +150℃ 的结温等级，适应工业级环境。

三、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）中的输出整流或同步替代器件；
• 电池供电设备的反向保护与低损耗整流；
• DC-DC 转换器、USB 电源、车载电子低压整流场合；
• 自由轮回二极管（free-wheeling）与续流回路。

四、选型与注意事项

• 反向漏电流：IR 在 40 V 时约 500 μA，温度升高会显著增加漏电流，需在高温或高阻抗检测电路中评估对系统影响；
• 考虑功耗与散热：在连续 2 A 工作时需计算 Pd = IF × VF（约 1.1 W），结合 PCB 走铜与散热布局进行热设计，避免长期高结温；
• 浪涌与可靠性：Ifsm 为非重复峰值，应避免反复的高能浪涌；若系统有频繁浪涌，应选用额定更高浪涌能力或添加浪涌限制保护。
• 封装与焊接：SOD-128 适合回流焊工艺，推荐遵循东芝的回流曲线与焊盘布局规范以保证可靠焊接与热散。

五、典型电路建议

• 输出整流：作为低压输出整流器件可以直接替代慢恢复二极管以降低导通损耗；
• 保护用途：串联放置于供电线上作反接保护，正向压降较低可减少压降影响；
• 与滤波电容配合：高漏电流场合应评估与并联电容或检测电路的交互影响。

总结：CMS11（TE12L, Q, M）为面向中小功率、高效率需求的通用肖特基二极管，特点是低 Vf、适中耐压与工业级温度适应性。设计时需重点关注高温漏电、功耗散热和浪涌保护，以确保长期可靠运行。