LMBTA56LT1G — 225mW、80V、500mA PNP 三极管产品概述

一、产品简介

LMBTA56LT1G 是乐山无线电（LRC）推出的一款小功耗 PNP 双极结晶体管，采用 SOT-23 表面贴装封装。器件在集电极电流最高 500mA、集射极击穿电压（Vceo）80V 的条件下工作，适用于中低功耗开关与信号放大场合。器件设计兼顾开关速度与线性放大特性，便于在紧凑 PCB 布局中使用。

二、主要电气参数（典型/数据给定）

• 极性：PNP
• 集电极电流 Ic：最大 500mA
• 集射极击穿电压 Vceo：80V
• 耗散功率 Pd：225mW（封装与环境条件相关）
• 直流电流增益 hFE：约 100（测试条件 100mA, VCE=1V）
• 特征频率 fT：50MHz（适中频率放大与开关应用）
• 集电极截止电流 Icbo：约 100nA（低漏电）
• 集射极饱和电压 VCE(sat)：约 250mV（低饱和压，适合开关）
• 工作温度范围：-55°C ~ +150°C
• 射基极击穿电压 Vebo：4V（注意基-射反向耐压）

三、封装与热特性

LMBTA56LT1G 采用 SOT-23 小封装，适合自动贴片生产与空间受限设计。封装限制了可耗散的功率（225mW），因此在设计 PCB 时建议增大铜箔散热面积或采用散热通孔以保持结温在安全范围内。短时脉冲下可承受较高电流，但需遵守器件的安全工作区（SOA）。

四、应用场景

• 高侧小功率开关：PNP 极性便于与电源正极直接连接，适合做高侧驱动或电源切换。
• 线性放大：在要求中等电流和中等频率的模拟放大电路中表现良好。
• 驱动小型继电器、指示灯或低电流继电器及继电器驱动级。
• 与小信号 NPN 配合，可构成推挽输出或互补放大级。

五、使用注意事项与建议

• 基极-射极反向击穿 Vebo 仅 4V，禁止在电路中对 BE 施加过高反向电压，避免损伤。
• 在靠近最大 Ic 的工作点时注意功耗和结温，必要时采用并联或更大功率器件。
• 参考数据表中的温度系数与极限参数进行裕量设计，避免在高温下长期接近极限值。
• 若用于高频应用，请根据 fT=50MHz 评估增益裕量及负反馈设计，避免寄生振荡。

六、选型与替换建议

选择本型号时优先考虑对体积和正电源高侧控制的需求；若需更大功率或更高耗散能力，建议选用封装更大的器件；如需更高频率或更高电流增益，可比较同系列或其他厂商的规格以确认匹配。

LMBTA56LT1G 在小封装、较高耐压与中等电流能力之间提供了良好平衡，适合空间受限且需 80V 级别耐压的中低功耗应用。