FQD13N10LTM 产品概述

一、产品简介

FQD13N10LTM 为 UMW（友台半导体）推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，耐压 Vdss=100V，连续漏极电流 Id=10A，封装为 TO-252（DPAK），适合中等功率开关与功率管理场合。器件具备较低的导通电阻与适中的开关电荷，适用于降压转换、同步整流、负载开关及电机驱动等应用。

二、主要电气参数

• 漏源电压（Vdss）：100V
• 连续漏极电流（Id）：10A
• 导通电阻（RDS(on)）：142mΩ @ Vgs=10V
• 阈值电压（Vgs(th)）：2V @ 250µA
• 总栅极电荷（Qg）：12nC
• 输入电容（Ciss）：400pF；反向传输电容（Crss）：20pF；输出电容（Coss）：95pF
• 耗散功率（Pd）：40W
• 工作结温范围：-55℃ ～ +150℃

三、主要特性与优势

• 100V 耐压满足工业与汽车外围高电压余量的需求。
• RDS(on) 142mΩ 在 10V 门极驱动下提供较低导通损耗，适合中等电流场合。
• Qg=12nC 与 Ciss=400pF 带来适中的驱动负担，栅极驱动器要求一般，易与常见驱动 IC 匹配。
• TO-252 封装利于表面贴装，便于自动化生产与 PCB 散热设计。

四、应用建议

• 开关电源（降压/升压转换器）与同步整流。
• 电机驱动的低侧开关或保护开关。
• 继电器/电磁阀替代的电子负载开关。
• 通用功率管理与逆变前端整流。

五、热管理与 PCB 设计要点

• 器件 Pd=40W 为理想耗散值，实际散热依赖 PCB 铜箔面积与散热片。建议在 TO-252 底部和底层布置足够铜箔并配合热导孔（vias）将热量传导至内层/背面散热铜皮。
• 保持栅极走线短且阻抗可控，减少寄生感性与环路面积，以降低开关振铃与 EMI。
• 在源端和漏端附近放置去耦电容，靠近器件的布置可以抑制瞬态电压尖峰。
• 对于高 dV/dt 场合，可并联合适的 RC 或 TVS 做缓冲与保护。

六、使用注意与选型建议

• RDS(on) 标称值在 Vgs=10V 条件下测得，若使用逻辑电平（如 5V 或更低）需验证实际导通电阻与损耗；需要更低导通电阻时应选用更低 mΩ 级别器件。
• Qg=12nC 意味着在高频切换时栅极驱动功耗不可忽视，需评估驱动器能力与热量。
• 遵循 ESD 操作规范，管脚敏感，存储与搬运注意防静电。
• 建议工作结温留有裕度，长期可靠性以 Tj ≤125℃ 为佳，极限不超过 150℃。

FQD13N10LTM 在 100V/10A 级别的应用中提供了良好的性价比与通用性，适合需要中等导通损耗与耐压的功率开关场景。