WS03DLC-B 产品概述

一、产品简介

WS03DLC-B 是 Leiditech（雷卯电子）推出的一款单路双向瞬态抑制二极管（TVS），封装为 SOD-323，专为地面与信号线的瞬态过压与静电放电保护设计。器件以低电容、高浪涌吸收能力为特点，适合对信号完整性及抗扰度有较高要求的小体积电路板布局。

二、主要参数与特性

• 极性：双向（适合双向信号线或对称保护）
• 反向截止电压 Vrwm：3.3 V（适配 3.3 V 系统）
• 击穿电压（Vbr）：4 V（典型）
• 钳位电压：20 V（在 8/20 μs 峰值脉冲条件下）
• 峰值脉冲功率 Ppp：400 W（8/20 μs）
• 反向电流 Ir：200 nA（在 Vrwm 条件下，低泄漏有利于低功耗系统）
• 结电容 Cj：0.6 pF（极低电容，减小对高速信号的影响）
• 通道数：单路
• 工作温度：-55 ℃ ~ +125 ℃
• 防护等级：符合 IEC 61000-4-2（ESD）、IEC 61000-4-4（EFT）、IEC 61000-4-5（浪涌）

三、典型应用场景

• 3.3 V 数字接口与控制线（GPIO、I2C、SPI、UART 等）保护
• 高速数据链路/接口的输入端保护（因低 Cj 对信号完整性影响小）
• 消费电子、通信设备、工业控制的接口与外部连接器防护
• PCB 空间受限、需表面贴装的小型化设计

四、封装与布局建议

• 尽量将 WS03DLC-B 靠近受保护的连接器或信号源放置，减小走线感应电压
• 对高速信号线可并联小阻值或串联匹配电阻以改善阻抗与吸收能量
• SOD-323 为小型封装，适合回流焊工艺；贴装时注意焊盘设计与热量控制

五、可靠性与选型注意

• 400 W（8/20 μs）为脉冲峰值能力，非连续或长期承载能力；若有反复大能量冲击，应考虑更高能量等级或并联设计
• 钳位 20 V 为典型脉冲下测得值，实际系统中需根据系统容忍电压与器件的瞬态响应进行确认
• 低漏电（200 nA）适合电池供电或低功耗系统，但在高温下漏电会上升，选型时应考虑工作温度对漏电的影响

六、总结

WS03DLC-B 在小体积封装下提供了对 3.3 V 系统的双向瞬态保护方案，兼顾低结电容与较高脉冲吸收能力，适用于对信号完整性敏感且空间受限的应用场景。选型时应综合考虑钳位水平、脉冲能量要求与实际工作环境，以确保长期可靠保护。若需替代或并联配置建议，可根据系统最大容许电压和冲击能量提供进一步计算与方案。