LBSS138DW1T1G 产品概述

一、产品简介

LBSS138DW1T1G 是乐山无线电（LRC）推出的一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET，封装为 SC-88（超小尺寸），面向低电流、低功耗与小体积应用。器件支持较宽的漏源电压（最高 50V），且在低栅压下可工作，适合便携设备、信号开关与电平移位等场景。

二、主要电气参数

• 数量/类型：2 个 N 沟道 MOSFET（双通道）
• 漏源电压 Vdss：50 V
• 连续漏极电流 Id：200 mA（每通道）
• 导通电阻 RDS(on)：5.6 Ω @ Vgs = 2.75 V，Id = 200 mA
• 耗散功率 Pd：225 mW（注意封装与散热条件）
• 阈值电压 Vgs(th)：0.5 V（典型）
• 输入电容 Ciss：50 pF @ 25 V
• 反向传输电容 Crss：5 pF @ 25 V
• 工作温度范围：-55 ℃ ~ +150 ℃
• 封装形式：SC-88（超小型表面封装）

三、性能与特点

1. 低电压驱动：阈值电压约 0.5 V，可在较低栅压下触发，便于与低电平逻辑兼容。为达到标称 RDS(on) 建议驱动电压接近 2.75 V。
2. 小体积、低电容：Ciss ≈ 50 pF、Crss ≈ 5 pF，有利于提高切换速度、降低驱动功率，适用于高频或快速开关场合。
3. 双通道集成：在同一 SC-88 封装内集成两路 N 沟道晶体管，节省 PCB 面积，便于实现双路控制或差分应用。
4. 宽电压耐受：50 V 的 Vdss 使其可用于较高工艺电压的场景（如汽车电子的低压外围和工业接口）。
5. 低功耗器件：尽管 RDS(on) 相对较大（5.6 Ω），器件定位为小信号开关与控制用途，适合低电流工况。

四、典型应用场景

• 低电流负载开关与功率路径控制（小型传感器、指示灯、继电器驱动的前端）
• 电平移位与信号开关（I/O 保护、双向电平移位电路）
• 电池供电便携设备的功耗管理与电源选择电路
• 快速小信号切换、脉冲控制场合
• 工业控制与仪表中对空间与成本敏感的接口电路

五、使用建议与热管理

• 驱动电压：若需最小化导通损耗，请尽量使用 ≥2.75 V 的栅极驱动电压；在 1.5 V 左右仍可工作，但 RDS(on) 会显著增加。
• 功率与温升：单通道 Pd 为 225 mW，SC-88 封装散热能力有限，长时间大电流工作需注意热路与环境温度，必要时考虑减载或并联（注意并联需匹配）及良好的 PCB 散热设计。
• 工作电流建议控制在规格范围内（≤200 mA），并考虑在高温条件下对电流能力的降额处理。

六、封装与焊接注意事项

• SC-88 为微小 SMD 封装，适合高密度布板，但对焊接工艺与回流曲线敏感。遵循制造商推荐的回流温度曲线以避免封装应力。
• 该器件对静电敏感（ESD），在存储与装配过程中需采取防静电措施（佩戴防静电手环、使用防静电包装）。

七、选型参考

若设计需要在极小体积下实现双路低电流开关并兼顾较高耐压（50 V），LBSS138DW1T1G 是经济且实用的选择。对于需要更低导通电阻或更高连续电流的场合，应考虑更大封装或低 RDS(on) 型号。选型时应结合实际工作电流、驱动电压及散热条件进行权衡。

如需电气等效电路图、典型驱动电路或与其它器件并联/并用建议，我可提供进一步的原理图与布局要点。