型号:

KRC103S

品牌:BORN(伯恩半导体)
封装:SOT-23
批次:25+
包装:未知
重量:-
其他:
-
KRC103S 产品实物图片
KRC103S 一小时发货
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置
库存数量
库存:
2774
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0958
3000+
0.078
产品参数
属性参数值
数量1个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE)70@10mA,5V
最小输入电压(VI(on))3V@5mA,0.2V
最大输入电压(VI(off))1V@0.1mA,5V
输出电压(VO(on))300mV@10mA,0.5mA
工作温度-55℃~+150℃

KRC103S 产品概述

一、产品简介

KRC103S 是一款由 BORN(伯恩半导体)推出的预偏置数字 NPN 晶体管,封装为 SOT-23,适用于小信号开关和接口驱动场合。器件集成了基极限流电阻,使用时可直接与逻辑电平或微控制器端口连接,简化外围电路、节约 PCB 空间并提高设计可靠性。

二、主要电气参数

  • 型号:KRC103S(NPN,预偏置)
  • 集电—射极击穿电压 Vceo:50 V
  • 集电极电流 Ic:100 mA(最大)
  • 功耗 Pd:200 mW(SOT-23 封装)
  • 直流电流增益 hFE:≈70(测试条件 10 mA, VCE=5 V)
  • 输入阈值(厂家测试条件):VI(on) 与 VI(off) 给出如下参考值(请以正式数据手册为准):
    • VI(on):示例值 3 V(在某测试条件下,Ib≈5 mA);典型输入导通电压在特定条件下可低至约 0.2 V。
    • VI(off):示例最大约 1 V(在 Ib≈0.1 mA 条件下测试,VCC=5 V)。
  • 输出导通电压 VO(on):约 300 mV(IC=10 mA 测试);在不同电流条件下 VO(on) 可能变化(浅电流工况下可见更高值)。
  • 工作温度范围:-55 ℃ 至 +150 ℃

注:以上输入/输出阈值和典型值受测试条件影响较大,设计时请参考完整数据手册并按实际电路条件验证。

三、特点与优势

  • 预偏置设计:内置基极限流电阻,直接与 TTL/CMOS/微控 I/O 兼容,省去外部基极电阻,缩短设计时间。
  • 宽电压与可靠电流能力:50 V 的耐压和 100 mA 的集电电流使其在多数小功率开关场景下表现可靠。
  • 小型封装:SOT-23 便于高密度布板及自动贴装,适合消费电子、工业控制等空间受限应用。
  • 宽温度范围:-55 ℃ 到 +150 ℃,适应恶劣环境和工业级应用需求。
  • 良好的增益特性:在中等电流工作点有较高的直流增益,利于驱动下游负载。

四、典型应用场景

  • MCU/逻辑电平直接驱动负载(继电器小型驱动、LED 指示、继电器驱动前级)
  • 电平转换与接口保护(开漏驱动、低侧开关)
  • 通用开关元件用于家电、仪表及便携设备中的功率控制与信号切换
  • 替代 discrete BJT + 阻值网络 的简化解决方案,缩减器件数量与 BOM 成本

五、封装与热管理

KRC103S 采用 SOT-23 封装,热阻相对较高且功耗限值为 200 mW。实际应用中应注意散热与布局:避免将器件周围热源密集堆放,尽量使用较大铜铺垫或热孔以降低结温,确保在高环境温度与持续开关条件下的可靠性。

六、选型与使用建议

  • 在需要明确输入/输出阈值与开关速度时,请依据厂家完整数据手册的测试条件(电流、电压与温度)进行评估与验证。
  • 若负载电流接近或超过 50–100 mA,应评估热耗散并考虑并联或选用更大功率器件。
  • 对于需要高侧开关或更高功率应用,建议选择具有更高 Pd 或不同封装的器件。

总结:KRC103S 以其预偏置集成、50V 耐压与 SOT-23 小型化特点,为通用数字开关与接口驱动提供了简洁且经济的解决方案。请在最终设计中参考完整规格书并进行必要的电气与热仿真验证。