型号:

BSD5C151S

品牌:BORN(伯恩半导体)
封装:SOD-523
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
BSD5C151S 产品实物图片
BSD5C151S 一小时发货
描述:瞬态抑制二极管 BSD5C151S
库存数量
库存:
4712
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.112
3000+
0.0889
产品参数
属性参数值
极性双向
反向截止电压(Vrwm)15V
钳位电压28V
峰值脉冲电流(Ipp)3A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)100W@8/20us
击穿电压16.2V
反向电流(Ir)200nA
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型TVS
Cj-结电容4pF

BSD5C151S 产品概述

一、简介

BSD5C151S 是 BORN(伯恩半导体)推出的一款小型双向瞬态电压抑制二极管(TVS),用于抑制瞬态过电压和静电放电(ESD)对线路和器件的损害。器件采用 SOD-523 超小封装,适合空间受限的便携式和接口电路保护。符合 IEC 61000-4-2(静电放电)、IEC 61000-4-4(快速瞬变脉冲群)和 IEC 61000-4-5(浪涌)等工业级防护标准。

二、主要参数

  • 类型:双向 TVS(双极性抑制)
  • 反向截止电压 Vrwm:15 V(额定工作电压)
  • 击穿电压 Vbr:16.2 V(典型)
  • 钳位电压 Vc:約 28 V(Ipp=3 A,8/20 μs)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:3 A(8/20 μs 波形)
  • 峰值脉冲功率 Ppp:100 W(8/20 μs 波形)
  • 反向漏电流 Ir:200 nA(在 Vrwm 条件下)
  • 结电容 Cj:约 4 pF(低电容,适合高速信号)
  • 防护等级:符合 IEC 61000-4-2 / 4-4 / 4-5 标准
  • 封装:SOD-523(极小贴片封装)
  • 品牌/型号:BORN BSD5C151S

三、特点与优势

  • 双向保护:可对称钳制正负瞬态,适合交流或差分信号线路。
  • 小电容(4 pF):对高速数据线影响小,适用于 USB、串行接口等。
  • 高速响应:瞬态到达时快速钳位,限制电压幅度,保护后端元件。
  • 高功率承受能力:100 W(8/20 μs)峰值功率和 3 A 峰值脉冲电流,能有效吸收典型浪涌与开关冲击。
  • 紧凑封装:SOD-523 适合高密度 PCB 布局和便携设备。
  • 工业级兼容:通过常见 IEC 抗干扰标准认证,适用于严苛电磁环境。

四、典型应用场景

  • 接口保护:USB、HDMI、RS-232/RS-485、差分信号线路等。
  • 电源总线保护:低电压供电线的浪涌与换向冲击保护(在 15 V 工况内)。
  • 通信设备、消费电子、便携终端、仪表测量设备及工业控制端口。
  • PCB 输入端或连接器处的一级浪涌/ESD 防护器件。

五、布局与使用建议

  • 靠近受保护端口或连接器放置,尽量缩短引线长度与环路面积,以减少寄生电感。
  • 对于双向器件,直接跨接于正负线(或差分对)两端;不可将其用于单向一端直接接地的设计。
  • 在高能量浪涌系统中,若连续冲击或更高能量需求,可考虑与低频滤波器或更大功率的浪涌抑制器并联使用。
  • SOD-523 为超小封装,焊接时遵循标准回流工艺与厂家推荐的焊盘尺寸,避免过热或应力。

六、选型与注意事项

  • 确认系统最大工作电压不超过 Vrwm(15 V),否则会增加漏电或触发抑制。
  • 钳位电压 28 V 为在指定脉冲下的典型值,系统后端器件耐压应高于该值。
  • 低漏电(200 nA)适合对静态功耗敏感的应用,但在部分精密测量电路仍需评估影响。
  • 若需更高功率或不同 Vrwm 值,可参考 BORN 系列其他型号进行匹配选型。

七、订购信息

型号:BSD5C151S;品牌:BORN(伯恩半导体);封装:SOD-523。购买或样片申请请参考供应商或厂商数据手册以获取完整电气特性曲线、推荐焊盘及可靠性测试信息。