BZM55C5V1-TR 产品概述

一、产品简介

BZM55C5V1-TR 为 VISHAY（威世）出品的独立式稳压二极管，标称稳压值 5.1V，采用 MicroMELF 小型圆柱封装并以卷带（TR）形式供货，适合自动贴片。器件定位为低功耗、精简型的 5.1V 基准/稳压元件，适用于对体积、成本与贴片装配有要求的电子设计。

二、主要电气参数

• 标称稳压值（Vz）：5.1V（典型）
• 稳压值范围：4.8V ~ 5.4V（器件生产公差）
• 最大耗散功率（Pd）：500 mW（环境与散热条件决定可用功率）
• 最大允许电流（理论）：Pd / Vz ≈ 0.5W / 5.1V ≈ 98 mA（不得长期满载，需考虑散热）
• 动态阻抗 Zzt：1 Ω（在规定测试电流下的动态阻抗，体现稳压性能）
• 低电流区阻抗 Zzk：60 Ω（在击穿前或极低电流下阻抗较大，稳压性能变差）
• 反向泄漏电流 Ir：100 nA（在 1V 条件下的典型反向电流，体现低泄漏特性）

三、封装与机械特性

MicroMELF 封装为金属化圆柱体，适合高速贴片与自动化生产，热阻相对平面封装略高，需在 PCB 设计时通过加大焊盘铜箔面积和良好散热路径来改善热性能。TR 表示卷带供料，便于 SMT 产线上料与贴装。

四、典型应用场景

• 作为 5.1V 精简稳压源或基准电压（低功耗电子设备）
• 电源监控与小信号偏置电路
• 输入浪涌或瞬变的钳制保护（小功率场合）
• 仪表、传感器供电的局部稳压或参考源

五、使用及热管理建议

• 为保证长期可靠性，实际工作功率应远低于额定 Pd，建议在设计时留出足够的功率裕度并采用适当的串联限流电阻。
• 由于 MicroMELF 的散热依赖焊点与 PCB，建议在器件两侧布置较大铜箔或散热层，并考虑风冷或导热路径以降低结温。
• 在低电流（接近击穿电流）情况下，Zzk 显示阻抗较大，稳压不佳。实际稳压应用应使器件工作在其测试电流附近或更高，以获得较低的动态阻抗（Zzt ≈ 1 Ω）和更稳定的电压。
• 注意瞬态和反向耐压条件，避免反向击穿或过流导致器件损坏。

六、可靠性与注意事项

• 反向漏电小（100 nA 量级），适合对漏电敏感的电路。
• 避免长时间在高结温下工作，热应力会降低寿命；在焊接与回流工艺中遵循厂家温度曲线以防损伤。
• 处理时注意静电保护与机械防护，MicroMELF 表面和引脚可能对物理损伤敏感。

七、包装与订购信息

型号：BZM55C5V1-TR，品牌：VISHAY（威世），封装：MicroMELF，供货方式：卷带（TR），适用于自动化贴片生产。选型时请参阅最新厂商数据手册以获取完整的测试条件、曲线图和可靠性认证数据，确保在目标应用中的参数匹配与长期稳定性。