SM15T30A 产品概述

SM15T30A 是意法半导体（ST）出品的一款单向瞬态电压抑制器（TVS），封装为 DO-214AB（SMA），专为瞬态浪涌与静电放电（ESD）保护设计。该器件在工业应用与消费电子中对输入电源、数据线和信号线路提供可靠的过压钳位与浪涌吸收能力。

一、主要特性概览

• 类型：单向 TVS（单极性）
• 反向工作峰值电压 Vrwm：25.6 V
• 击穿电压（标称）：28.5 V
• 钳位电压（Ipp@8/20μs）：53.5 V
• 峰值脉冲电流 Ipp（8/20μs）：187 A
• 峰值脉冲功率 Ppp：1.5 kW
• 反向漏电流 Ir：≤ 200 nA
• 工作温度范围：-55 ℃ ~ +150 ℃
• 防护等级：满足 IEC 61000-4-4（电快速瞬变）与 IEC 61000-4-2（静电放电）
• 封装：DO-214AB（SMA）

二、功能与应用场景

SM15T30A 通过在过压时快速进入雪崩导通状态，将瞬态能量钳位到安全电平，从而保护下游电路免受破坏。典型应用包括：

• 电源输入端和总线电源保护
• 通信接口与数据线的浪涌/ESD 保护
• 工业控制设备、汽车电子辅助模块（非车规版本需注意认证）
• 家电和便携设备的电磁兼容（EMC）解决方案

三、电气与热特性要点

• 该器件以单向结构在正向（反向偏置）时进行高压阻断，遇到浪涌时以低阻抗钳位电压吸收能量，适合直流电源或单向信号线保护。
• 钳位电压 53.5 V（在 8/20μs 浪涌下）表明在极端冲击下仍能将被保护节点限制在可接受范围，但设计时应核对被保护器件的最大耐压。
• 漏电流低至 200 nA，有利于对精密电路或低功耗系统的长期影响最小化。
• 工作温度扩展至 150 ℃，适应工业级环境，但实际散热与布局仍影响可靠性与能量承受能力。

四、封装与布局建议

• DO-214AB（SMA）封装便于波峰/回流焊装配，适合自动化生产。焊盘尺寸应遵循封装推荐图，确保良好热散与机械强度。
• 建议将 TVS 尽量靠近被保护端口或连接器放置，短而宽的铜走线可降低寄生电感，提高保护效果。
• 对于高能量冲击场合，配合适当串联阻抗（滤波电感或保险丝）可改善整机可靠性，避免单个 TVS 承受超额能量。

五、选型与注意事项

• 若系统工作电压高于 Vrwm（25.6 V）需选用更高工作电压等级的 TVS。反向截止电压、击穿电压及钳位电压需与系统耐压及保护目标协调。
• 多路并联使用需谨慎，实际电流分配受个体特性差异影响，可引起应力集中。
• 产品满足 IEC 61000-4-2/4-4 标准，但在具体系统 EMC 设计中仍需配合滤波、接地和屏蔽等综合措施。

SM15T30A 提供稳定的瞬态吸收能力与低漏电特性，适合多数中高能量防护场合。选型时充分考虑系统电压、电流承受能力和热管理，可实现高效的浪涌与静电防护。