UC2843BD1 产品概述

一、产品简介

UC2843BD1 是意法半导体（ST）面向隔离式开关电源的高性能 PWM 控制器，适用于反激式（flyback）和升压式（boost）拓扑。器件工作电压范围宽（7.6V～30V），内部振荡器工作点可在 500kHz 附近，最大占空比高达 96%，在保证高功率密度的同时可实现系统效率目标（可达到 96% 级别，视外围器件和拓扑而定）。器件集成欠压保护（UVP）和过流保护（OCP），适应工业级工作温度范围（-25℃ ～ +85℃ @ TA），采用 SO-8 封装，适合隔离型 AC-DC 与 DC-DC 电源设计。

二、主要特性

• 隔离式控制器，支持反激与升压拓扑应用
• 工作电压：7.6V ～ 30V（可靠工作区间）
• 内部振荡器/典型开关频率：500kHz（设计参考）
• 最大占空比：96%，利于低压输出与连续导通控制
• 功耗（耗散功率 Pd）：800mW（器件自身热耗需考虑散热）
• 集成保护：欠压保护（UVP）、过流保护（OCP）
• 工作温度：-25℃ ～ +85℃（TA）
• 封装：SO-8，便于 PCB 布局与散热设计

三、功能概要与应用场景

UC2843BD1 内置振荡器、PWM 比较器、误差放大和保护电路，用户通过外部电阻、电容设定工作频率与补偿网络，配合外部功率 MOSFET、变压器/电感和整流器即可构建完整隔离或非隔离电源。典型应用包括：

• 离线 AC-DC 适配器与充电器（反激）
• LED 驱动与工业电源（隔离稳压）
• 升压型 DC-DC 变换器（电池供电场合）
• 通信与电源模块的中小功率开关电源

四、设计要点与热管理

• 开关频率与效率：500kHz 可实现高频变压器体积缩减，但需权衡开关损耗与磁、整流损耗。选择低栅电荷 MOSFET 与快速整流器有利于提高效率。
• 过流保护：利用外部电阻采样配合器件 OCP 实现周期性限流，必要时加入软起动限制峰值应力。
• 欠压保护：确保 VCC 启动电路与辅助供电稳定，避免欠压误触发。
• 散热与 Pd：器件耗散功率约 800mW，应在 PCB 布局中预留散热铜箔、短热路径并避免长导线连接，以保证长期可靠性。
• 布局建议：将电流感测、功率器件回路与控制器地分开，VCC 旁放置去耦电容，缩短 MOSFET 驱动回路路径，合理布置变压器和输入滤波以减少 EMI。

五、封装与选型建议

UC2843BD1 提供 SO-8 封装，便于标准 SMT 工艺接入。选型时根据目标输出功率、工作频率与效率目标选择合适磁性元件与功率 MOSFET；在高温或高应力应用场合建议预留更大的安全裕度并采用额外散热措施。若需隔离等级或更高温度范围，应参考 ST 的产品文档与评估样片进行系统级验证。

如需基于 UC2843BD1 的参考应用电路、典型波形或 PCB 布局示例，可进一步提供应用需求（输入电压、输出功率与输出电压），以便给出更具体的电路与元件建议。