型号:

SOD1F7

品牌:MDD
封装:SOD-123
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
SOD1F7 产品实物图片
SOD1F7 一小时发货
描述:快恢复/高效率二极管 1.3V@1A 1kV 10uA@1kV 1A
库存数量
库存:
4833
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.03129
3000+
0.02478
产品参数
属性参数值
二极管配置独立式
正向压降(Vf)1.3V@1A
直流反向耐压(Vr)1kV
整流电流1A
反向电流(Ir)5uA@1kV
反向恢复时间(Trr)500ns
工作结温范围-50℃~+150℃@(Tj)
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)30A

SOD1F7 — MDD 快恢复高效率二极管(SOD-123 封装)产品概述

一、产品简介

SOD1F7 是 MDD 推出的一款独立式快恢复二极管,采用紧凑的 SOD-123 表面贴装封装,面向高压整流与开关电源保护应用。器件在 1A 工作电流下具有较低的正向压降(Vf≈1.3V),同时具备高达 1kV 的直流反向耐压,适合高压整流、反向保护及电源二次侧整流场景。

二、主要参数(典型/关键)

  • 型号:SOD1F7;品牌:MDD;封装:SOD-123(SOD-123 常规极性标记:阴极带)
  • 正向压降 Vf:1.3V @ IF = 1A(典型)
  • 直流反向耐压 Vr:1kV(最大反向电压)
  • 额定整流电流 IF(AV):1A(连续)
  • 反向漏电流 Ir:≤5 µA @ Vr = 1kV(典型);规格书最大值可至 10 µA,请以最终数据手册为准
  • 反向恢复时间 Trr:约 500 ns(快恢复特性)
  • 非重复峰值浪涌电流 Ifsm:30A(单次浪涌能力)
  • 工作结温范围 Tj:-50 ℃ 至 +150 ℃

三、器件优势

  1. 高压耐受:1kV 的反向耐压使其适用于高压整流和高压保护场合。
  2. 低正向压降:1.3V@1A 的 Vf 有助于降低整流损耗,提高系统效率。
  3. 快恢复特性:Trr ≈ 500ns,适合中等开关频率的开关电源与整流应用,相比普通恢复二极管能减少开关损耗和应力。
  4. 小型封装:SOD-123 适合表面贴装,体积小、布板灵活,利于密集 PCB 布局。
  5. 合理的冲击能力:30A 的单次浪涌能力能承受启动或短时浪涌电流。

四、典型应用场景

  • 开关电源(SMPS)的续流/整流二极管(中低频率)
  • 反激/正激变换器二次侧整流
  • 充电器、适配器、高压电源模块
  • 太阳能逆变器、工业电源的高压整流与保护电路
  • 感性负载的自由轮回二极管(需关注反向恢复引起的 EMI)

五、使用与电路设计建议

  1. 频率与恢复:Trr≈500ns 表明在高频(数百 kHz 以上)应用时开关损耗和电磁干扰会增加,如要求更低开关损耗或更软的恢复特性,建议评估超快恢复或肖特基替代品。
  2. 热管理:SOD-123 封装散热受限,连续 1A 工作时需在 PCB 上设计适当的铜箔散热(热过孔或较大铜面积)并留意环境温度;高结温下正向压降会增加。
  3. 漏电流与温度:反向漏电流随温度显著上升,高温工况下需考虑泄漏对系统影响并作相应降额。
  4. 浪涌保护:Ifsm=30A 能承受短时浪涌,但对于频繁或更高能量浪涌应使用更大等级或并联器件,并考虑合适的热升降额设计。
  5. 限制尖峰:在高 dv/dt 场合,快恢复二极管的恢复电流可能产生尖峰,应配合 RC 缓冲或阻尼网络减少应力与 EMI。

六、封装与焊接注意事项

  • SOD-123 表面贴装,阴极通常有标识带,装配时注意极性。
  • 建议按制造商推荐的回流焊曲线进行焊接,避免长时间超过最高结温 150 ℃。
  • 焊盘设计需保证足够的散热铜面积,并考虑回流后的焊点可靠性。

七、选型与替代建议

  • 若目标应用为高频(>200 kHz)且对效率/EMI 要求高,考虑使用肖特基或超快恢复(Trr<100ns)器件替代。
  • 若对反向漏电流有严格要求,应优先参考最新规格书中的最大 Ir 值,并在高温条件下进行实测验证。
  • 在需要更高电流承受能力时,选择更大封装或并联使用,并注意电流共享与热均衡。

总结:SOD1F7(MDD,SOD-123)是一款面向高压整流和中等频率开关场合的快恢复二极管,兼顾了 1kV 耐压与较低 Vf 的能效表现,适合体积受限且需高压能力的电源与保护电路。选型时请以最新的厂商数据手册为准,并根据工作频率与散热条件做相应的电路和热设计。