STTH3R02S — 快恢复/高效率独立二极管（SMC）

一、产品概述

STTH3R02S 是意法半导体（ST）推出的一款独立式快恢复、高效率整流二极管，封装为 SMC（DO‑214AB）。该器件针对开关电源和功率变换场合优化，兼顾低正向压降与快速反向恢复，能够在中高电压和中等电流要求的应用中显著降低导通和开关损耗。

二、主要参数

• 类型：独立式（单只二极管）
• 正向压降：Vf = 890 mV @ IF = 3 A
• 直流反向耐压：Vr = 200 V
• 额定整流电流：IF(AV) = 3 A
• 反向电流：IR = 3 µA @ 200 V
• 反向恢复时间：Trr = 24 ns
• 非重复峰值浪涌电流：IFSM = 75 A
• 封装：SMC（适合表面贴装高功率布局）
• 品牌：ST（意法半导体）

三、产品优势

• 低正向压降（0.89 V @ 3 A），降低导通损耗，适合需要高效率的整流和续流场合。
• 快恢复特性（Trr = 24 ns），减少开关转换期间的能量损失及尖峰，利于减小电磁干扰（EMI）。
• 较高的峰值浪涌能力（75 A）可承受短时冲击电流，提升系统抗冲击鲁棒性。
• 低反向漏电（3 µA @ 200 V），有利于高压侧电路的静态功耗控制。

四、典型应用

• 开关电源（SMPS）次级整流与续流二极管
• 功率因数校正（PFC）电路中的整流单元
• 逆变器、UPS、驱动器以及电机控制电路中的续流与夹位二极管
• 交流/直流功率变换与能量回馈系统

五、封装与热管理建议

SMC 封装适合较大的焊盘和铜箔散热设计。建议：

• 在 PCB 上采用较大铜面积（尤其是焊盘背面与底层铜）以降低结到环境热阻并提升连续载流能力。
• 在高功率工作点时考虑器件温升并进行适度降额设计；具体的 RthJC、RthJA 和最大结温请参见 ST 官方数据手册并据此进行热仿真。
• 对于频繁浪涌或高循环应力的场合，检查焊接可靠性与散热路径完整性。

六、使用注意与可靠性

• 请遵循 ST 的回流焊工艺和温度曲线，避免长时间超温。
• 制造与维修过程中注意静电防护与正确的焊接工艺。
• 在电路设计时考虑反向恢复时的电压尖峰，可配合 RC 吸收网络或合适的缓冲措施以保护半导体与开关元件。
• 对于连续高频开关场合，应评估开关损耗与器件结温，必要时选用并联或更高规格器件。

七、订购与资料

订购型号：STTH3R02S（封装 SMC）。建议在设计前下载并参照 ST 官方数据手册以获取完整电气特性曲线、热阻、最大额定值与典型应用电路图，确保设计满足可靠性与寿命要求。若需替代器件或并联/散热建议，可联系供应商或技术支持获取更详细的工程资料。