1N60L 产品概述

一、概述

1N60L 是 UMW（友台半导体）推出的一款表面贴装型 N 沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 600 V，适用于高压低/中等电流开关场合。器件采用 TO-252（DPAK）封装，工作结温范围宽 (-55℃ ~ +150℃)，适合开关电源、离线驱动和高压变换场合的表面贴装工艺。

二、主要参数

• 类型：N 沟道 MOSFET（表面贴装）
• 漏源电压 Vdss：600 V
• 连续漏极电流 Id：1 A
• 导通电阻 RDS(on)：11 Ω @ Vgs = 10 V
• 阈值电压 Vgs(th)：4 V @ Id = 250 μA（非逻辑电平）
• 总栅极电荷 Qg：4.8 nC @ Vgs = 10 V
• 输入电容 Ciss：150 pF；输出电容 Coss：25 pF；反向传输电容 Crss：5.4 pF
• 耗散功率 Pd：27 W（受散热条件影响）
• 封装：TO-252（DPAK，表面贴装）

三、性能特点

• 高耐压：600 V 额定适用于离线开关电源初级、反激/正激拓扑的开关管。
• 低中等开态电阻：11 Ω 的 RDS(on) 在 10 V 门极下属于较高值，说明器件更适合中低电流、高压开关而非大电流主开关。
• 中等栅极驱动需求：Qg = 4.8 nC，配合 10 V 门极驱动器可实现较快开关速度；Ciss/Coss/Crss 数值反映出开关损耗与驱动要求的折中。
• 宽温度范围：可在-55℃至+150℃结温内工作，适合高温环境下长期运行（需关注结-壳散热设计）。

四、典型应用

• 离线开关电源（反激/正激）初级开关；
• LED 驱动与电子镇流器中的高压开关；
• 小功率工业电源与适配器；
• 高压抽空/测量电路、栅极驱动器中的开关元件。
  注：由于 RDS(on) 较大，不推荐用于需低导通损耗的大电流主功率通道。

五、布局与可靠性建议

• 散热设计：TO-252 通过 PCB 铜面散热，建议在 PCB 下方或背面放置大面积散热铜箔并配合过孔以降低结温，确保接近标称 Pd 条件。
• 门极驱动：建议采用 10 V 门极驱动以达到标注 RDS(on)；由于 Vgs(th)=4 V，低压逻辑驱动（如直接 3.3 V）无法可靠导通。
• 开关抑制：Crss/ Coss 指数影响米勒效应，建议在高 dv/dt 场合增加缓冲网络或合适的 RC 吸收以减少误触发与 EMI。
• 焊接与存储：遵守厂家回流焊曲线与 ESD 防护措施，避免超温和静电击穿。
• 可靠性校核：在设计中应按实际 PCB 散热条件对 Pd 与 Id 做温度降额计算，并关注瞬态能量（如浪涌与雪崩能量）对器件的影响，必要时参考完整数据表进行验证。

总结：1N60L 在 600 V 电压等级下提供可靠的表面贴装高压开关能力，适合高压低/中等电流的开关应用。合理的门极驱动与 PCB 散热设计是发挥其性能并保证长期可靠性的关键。