型号:

BDFN2C361V35

品牌:BORN(伯恩半导体)
封装:DFN1006-2
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
BDFN2C361V35 产品实物图片
BDFN2C361V35 一小时发货
描述:瞬态抑制二极管 0402 36V Ipp=5A 双向
库存数量
库存:
7039
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:10000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.14
10000+
0.128
产品参数
属性参数值
极性双向
反向截止电压(Vrwm)36V
钳位电压70V
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)450W@8/20us
击穿电压40V
反向电流(Ir)500nA
通道数单路
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型TVS
Cj-结电容13pF

BDFN2C361V35 产品概述

一、产品简介

BDFN2C361V35 是 BORN(伯恩半导体)推出的一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用 DFN1006-2(0402 等效)超小封装。器件为单路双向保护,设计用于抑制瞬态过压与脉冲干扰,保护敏感电子器件免受雷击、开关瞬变和静电放电(ESD)损伤。

二、主要电气参数

  • 极性:双向
  • 工作反向截止电压 Vrwm:36 V
  • 击穿电压 Vbr(典型):40 V
  • 钳位电压 Vc:70 V(典型)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:4 A(8/20 μs 标称);部分资料标注 5 A,实际能力请以厂家数据手册和应用条件为准
  • 峰值脉冲功率 Ppp:450 W(8/20 μs)
  • 反向漏电流 Ir:500 nA(典型)
  • 结电容 Cj:13 pF(影响高速信号完整性)
  • 通道数:单路
  • 防护等级/认证:符合 IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5 标准要求

三、特性亮点

  • 超小 DFN1006-2(0402 等效)封装,便于高密度 PCB 布局与便携式终端应用。
  • 双向结构,适用于差分信号线或需对称保护的线路(例如交流或双向数据线)。
  • 低漏电流与适中结电容,在保持低静态功耗同时兼顾对中低速信号的兼容性。
  • 通过多项工业级瞬态与静电抗扰度标准,可靠性高,适合恶劣电磁环境。

四、典型应用场景

  • USB/串行通讯接口、差分信号线保护(视速率与结电容限定)
  • 电源线与电池保护(反向/浪涌抑制)
  • 工业控制接口、继电器驱动线路的瞬态保护
  • 消费电子、便携设备、车载电子辅助防护(需验证车规要求)

五、封装与布局建议

  • 封装:DFN1006-2(尺寸接近 0402),焊盘极小,要求精确的 PCB 制造与贴装工艺。
  • 布局建议:将 TVS 器件置于需保护节点的尽量靠近处,最短走线到被保护端;与接地平面间保持良好焊接和散热路径。
  • 对高速差分线应注意结电容(13 pF)对信号眼图的影响,必要时选择更低电容器件或在前端增加匹配网络。

六、选型与设计注意事项

  • 确认最大持续工作电压与系统工作电压匹配(Vrwm 36 V)。
  • 钳位电压 70 V 表明在强冲击下仍有较高剩余电压,需评估后级器件耐压能力。
  • 峰值脉冲能力与能量吸收依赖脉冲波形(8/20 μs),若遇到更长/更复杂的浪涌,应参考能量降额或并联更大能量器件。
  • 结电容 13 pF 可能影响高频/高速应用,数据线高于数百 Mbps 时需谨慎验证信号完整性。

七、可靠性与包装

  • 器件符合 IEC 61000-4-2(ESD)、IEC 61000-4-4(EFT)和 IEC 61000-4-5(浪涌)等标准测试等级,适合工业与消费级抗扰度设计。
  • 建议按厂家推荐的回流焊曲线与储存条件操作,避免超出温度与湿度限制导致焊接缺陷或性能退化。

总结:BDFN2C361V35 为一款适合中电压侧、空间受限场合的双向 TVS 器件,兼顾体积与防护能力。在实际设计中应结合实际浪涌能量、后端耐压及信号速率评估其适用性,并严格按封装与焊接规范进行布局与工艺控制。如需最终确认参数或样品测试结果,请参阅厂商完整版数据手册或联系供应商获取验证资料。