AO6802 产品概述

一、主要参数

AO6802 是友台半导体（UMW）推出的一款双通道 N 沟道 MOSFET（封装：SOT-23-6），适用于小型功率开关场景。其关键电气参数如下：

• 漏源耐压 Vdss：30V
• 连续漏极电流 Id：3.5A（单通道）
• 导通电阻 RDS(on)：40mΩ @ Vgs = 10V
• 阈值电压 Vgs(th)：2V @ 250µA
• 总耗散功率 Pd：1.15W（封装热限制）
• 栅极总电荷 Qg：4.05nC @ 10V
• 输入电容 Ciss：170pF，输出电容 Coss：35pF，反向传输电容 Crss：23pF
• 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃

二、产品特性

• 双通道设计（两个 N 沟道）整合于 SOT-23-6 小外形封装，便于空间受限的电路板布局。
• 在 10V 栅压下具有较低的导通电阻（40mΩ），适合中等电流的低压功率路径。
• 中等栅极电荷（Qg = 4.05nC）在采用常见驱动器时能取得良好开关性能，驱动能量需求适中。
• 电容参数（Ciss/Coss/Crss）表明在高频开关时具有可控的开关损耗与回灌特性，有利于开关频率在数十至数百 kHz 的方案。

三、典型应用场景

• 低压 DC-DC 转换器的同步整流或低侧开关。
• 电池供电设备的负载切换与电源管理。
• USB/消费类电子、小型马达驱动及继电器替代开关。
• 双路开关场合（两个开关集中在一颗芯片，减少 PCB 空间与外部元件数量）。

四、电气与热管理建议

• 额定 Id 为 3.5A，但 SOT-23-6 的 Pd 仅 1.15W，实际允许电流受 PCB 散热与环境温度限制。高电流时建议增加铜箔面积以提升散热。
• RDS(on) 标注在 Vgs=10V 条件下，若驱动电压为逻辑电平（如 4.5V 或 5V），导通阻抗会明显上升，需要验证实际导通损耗。
• 开关频率较高时，Qg 和 Coss 会影响开关损耗与驱动功耗，应在驱动器选型与能量预算中考虑这些参数。对快速开关场合可适当增加阻尼或 RC 抑制尖峰。

五、封装与布局注意事项

• SOT-23-6 提供紧凑布局优势，但热阻较大。建议在 PCB 底层增加散热铜箔、热 vias，并保证两个 MOSFET 的热分布均匀。
• 布线时尽量缩短漏极-源极回路（尤其是地线和电源回路），减小寄生电感，避免开关尖峰和振铃。
• 若并联使用两个通道以降低等效 RDS(on)，须注意通道间电流均分与热偶合。

六、选型建议与替代考虑

• 若系统可提供 10V 以上的栅极驱动且电流需求在几安培且对空间敏感，AO6802 是合适选择。
• 若系统仅能提供低电平栅驱（3.3V/4.5V），建议在样品验证中测量在目标 Vgs 下的 RDS(on) 和温升，必要时选择逻辑级 MOSFET 或更低 RDS(on) 的封装件以降低损耗。
• 对于更高功率或更低导通阻抗要求，应优先考虑更大封装或散热能力更强的器件。

总结：AO6802 在空间受限、要求双通道集成与中等开关性能的低压应用中具有较高的性价比，但在高电流或高频高效率场合需要重视热管理与驱动电压匹配。