型号:

TLV2314IDR

品牌:TI(德州仪器)
封装:SOIC-8
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
TLV2314IDR 产品实物图片
TLV2314IDR 一小时发货
描述:运算放大器 1.5V/us 双路 1pA 3MHz
库存数量
库存:
2480
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.15
2500+
1.09
产品参数
属性参数值
放大器数双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)5.5V
轨到轨轨到轨输入,轨到轨输出
增益带宽积(GBP)3MHz
输入失调电压(Vos)750uV
输入失调电压温漂(Vos TC)2uV/℃
压摆率(SR)1.5V/us
输入偏置电流(Ib)1pA
输入失调电流(Ios)1pA
噪声密度(eN)16nV/√Hz@1kHz
共模抑制比(CMRR)75dB
静态电流(Iq)250uA
输出电流20mA
工作温度-40℃~+125℃
单电源1.8V~5.5V
双电源(Vee~Vcc)-2.75V~-900mV;900mV~2.75V

TLV2314IDR 产品概述

一、概述

TLV2314IDR 是德州仪器(TI)推出的一款双路轨到轨运算放大器,适用于低电流、低电压和低噪声的便携与传感器前端设计。该器件支持宽工作电源(单电源 1.8V~5.5V),并提供轨到轨输入与轨到轨输出特性,便于在接近电源轨的条件下获得较大动态范围。

二、主要参数(要点)

  • 放大器数:双路
  • 最大电源电压(Vdd–Vss):5.5 V
  • 单电源工作范围:1.8 V ~ 5.5 V
  • 双电源支持范围:-2.75 V ~ -0.9 V ; 0.9 V ~ 2.75 V(按器件数据手册建议)
  • 增益带宽积(GBP):3 MHz
  • 压摆率(SR):1.5 V/μs
  • 输入失调电压 (Vos):750 μV,温漂 2 μV/℃
  • 输入偏置电流 (Ib):1 pA,输入失调电流 (Ios):1 pA
  • 噪声密度:16 nV/√Hz @1 kHz
  • 共模抑制比(CMRR):75 dB
  • 静态电流(Iq):250 μA(典型)
  • 输出电流:20 mA
  • 工作温度范围:-40 ℃ ~ +125 ℃
  • 封装:SOIC-8

三、性能亮点

  • 极低的输入偏置电流(pA 级),适合高阻抗传感器、霍尔元件或静电耦合输入的前端缓冲。
  • 轨到轨输入/输出允许在低电压单电源系统中直接与低压参考和ADC接口连接,简化电源管理。
  • 低失调(750 μV)与低温漂(2 μV/℃)有利于长期精度要求较高的测量链路。
  • 低噪声(16 nV/√Hz)适合低频小信号放大应用,但需注意其 GBP(3 MHz)与 SR(1.5 V/μs)对高速、大增益场景的限制。

四、典型应用

  • 传感器信号调理(热电偶、应变计、微小电压采样)
  • 便携式仪器与电池供电系统的缓冲与差分放大
  • 低频滤波器、积分器与仪表前端
  • 光电二极管的跨阻放大(中低频、增益受 GBP 限制)

五、选型与设计建议

  • 若需高增益宽带或高速脉冲响应,应评估 3 MHz GBP 与 1.5 V/μs SR 是否满足系统带宽与稳定性要求。
  • 对于容性负载或长线驱动,建议在输出端串联小阻(几十到几百欧姆)以保证稳定性并限制峰值电流。
  • 强烈建议在靠近封装电源引脚处放置去耦电容(例如 0.1 μF + 1 μF),以抑制瞬态并提高电源完整性。
  • 对高阻抗输入应使用良好的 PCB 布局:缩短输入回路、使用保护环(guard ring)与防污涂层,减少泄漏与寄生电容影响。

六、封装与可靠性

TLV2314IDR 提供 SOIC-8 封装,便于双通道电路布局与散热。器件额定工作温度覆盖工业级(-40 ℃ 至 +125 ℃),适合多种恶劣环境应用。请参阅 TI 数据手册以获取完整的引脚排列、热阻与包装信息。

七、注意事项

  • 在设计高精度或低漂移电路时,应考虑外部偏置、输入保护与校准策略,以补偿微小失调与温度影响。
  • 若用于双电源配置,请严格遵守器件数据手册给出的电压域和共模范围限制,避免在超出范围下操作造成性能下降或损坏。
  • 对于极低频或 DC 精密测量,注意输入偏置电流随温度和湿度的微小变化,建议在关键应用中进行环境测试验证。

如需原厂典型电路、详细引脚图或完整电气特性曲线,请参考 TI 官方数据手册或提供进一步需求,我可协助检索并解释关键图表与限制条件。