型号:

CMH060N10

品牌:Cmos(广东场效应半导体)
封装:TO-247
批次:两年内
包装:盒装
重量:-
其他:
-
CMH060N10 产品实物图片
CMH060N10 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 265W 100V 120A 1个N沟道
库存数量
库存:
157
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:240
商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.71
240+
3.44
产品参数
属性参数值
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))7mΩ@10V,2.5A
耗散功率(Pd)300W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
反向传输电容(Crss)80pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

CMH060N10 产品概述

一、产品简介

CMH060N10 是广东场效应半导体(Cmos)推出的一款高压大电流 N 沟增强型功率 MOSFET,单只器件设计用于高功率开关及线性应用场景。器件封装为 TO-247,工作温度范围宽(-55℃~+175℃),在合适散热条件下能够提供优异的导通能力与耐热稳定性,适合功率转换、电机驱动和工业电源等需求。

二、主要电气参数

  • 类型:N 沟道 MOSFET(单只)
  • 漏源电压 Vdss:100 V
  • 连续漏极电流 Id:120 A(视散热条件)
  • 导通电阻 RDS(on):7 mΩ @ Vgs=10 V(测量电流标注 2.5 A)
  • 阈值电压 Vgs(th):4.0 V @ 250 μA
  • 耗散功率 Pd:300 W(需有效散热)
  • 反向传输电容 Crss:80 pF
  • 封装:TO-247
  • 工作温度:-55 ℃ ~ +175 ℃
  • 数量:1 个

三、性能亮点

  • 低导通电阻:在 Vgs=10 V 时 RDS(on) ≈ 7 mΩ,有利于降低导通损耗,适合大电流应用。
  • 高电流承载能力:额定连续漏极电流 120 A(在充分散热条件下),适合高功率场合。
  • 宽温工作范围:支持高温工作环境,可靠性好,适合严苛工业环境。
  • TO-247 封装:便于螺栓固定散热器或冷却片,实现高效热管理和并联应用。

四、热管理与封装说明

CMH060N10 采用 TO-247 封装,便于直接安装到散热器上以实现高功率散热。器件标称的 300 W 耗散功率依赖于良好的散热设计(接触热阻、散热片大小、强制风冷或液冷等)。实际可通过热阻计算和 S.O.A.(安全工作区)评估器件在特定工作点的可靠性,推荐在大电流连续工作时配合低热阻散热方案并监控结温。

五、典型应用

  • 开关电源(SMPS)、同步整流器
  • 电机驱动与伺服驱动器
  • 逆变器与UPS
  • 工业控制与功率转换模块
  • 汽车电子高压子系统(需符合车规设计验证)

六、使用建议与注意事项

  • 门极驱动:Vgs(th)≈4 V,非典型逻辑电平器件;推荐 Vgs=10~12 V 驱动以保证最低 RDS(on) 与迅速开通。
  • 开关损耗与 Crss:反向传输电容 80 pF 会带来明显 Miller 效应,开关时要注意 dv/dt 引起的栅极电压回升。建议使用合适的栅极电阻以平衡开关速度与过渡损耗,必要时并联缓冲或 RC 抑制网络。
  • 并联与热均衡:若需并联多只器件以提升电流能力,应保证良好热耦合与源端回流设计,配合源飘移电阻实现电流均衡。
  • ESD 与过压保护:门极和漏极需要做好静电防护与浪涌抑制(TVS、RC 吸收器、软启动等)。
  • 实际参数验证:规范中给出的 RDS(on)、Id 等值是典型/额定参考,实际系统中请结合 PCB 散热、脉冲宽度、占空比等进行可靠性验证。

七、采购与替代建议

CMH060N10 适合需要 100 V 耐压、低导通电阻与高电流能力的单件功率器件应用。选型时若需更低阈值或更低 RDS(on),可对比同封装及同电压等级的其他型号或厂商;若关注封装热阻或更高脉冲能力,可考虑更高等级封装或模块化功率器件。

总结:CMH060N10 在 100 V 级别中兼具低导通损耗与高电流承载力,配合 TO-247 封装的散热便利性,适合各类工业级高功率开关与线性应用。合理的门极驱动与热设计是保证其长期可靠运行的关键。