SS110 肖特基二极管（晶导微电子）产品概述

一、产品简介

SS110 是晶导微电子（Jingdao）出品的一款通用肖特基整流二极管，封装为 SMA (DO-214AC)，面向需要低正向压降和快速恢复特性的中小功率整流与保护场景。该器件在宽泛的温度范围内稳定工作，适合工业、消费及电源管理类应用中作为整流、反向保护与二极管 OR-ing 等用途。

二、主要参数

• 工作结温范围：-55 ℃ ~ +125 ℃
• 额定整流电流：1 A（连续）
• 正向压降（Vf）：约 850 mV @ 1 A
• 直流反向耐压（Vr）：100 V
• 反向电流（Ir）：约 200 µA @ 100 V（室温测量条件）
• 非重复峰值浪涌电流（Ifsm）：30 A（短时脉冲）
• 封装：SMA (DO-214AC)
• 品牌：晶导微电子

三、关键性能与优点

• 低正向压降：在 1 A 工作点下，正向压降约 0.85 V，能显著降低功率损耗和发热，适合需要高效率的整流场合。
• 快速肖特基特性：开关速度快、无明显反向恢复峰值，适用于高频开关电源和整流电路。
• 高浪涌承受能力：30 A 的非重复峰值浪涌电流使其能承受短时启动或突发负载的冲击。
• 宽温度范围：-55 ℃ 到 +125 ℃ 的工作结温范围满足工业级应用对环境适应性的要求。
• 紧凑封装：SMA 封装利于表面贴装，适合自动化贴装与中等功率 PCB 设计。

四、典型应用

• 开关电源（SMPS）输入与输出整流
• 二极管 OR-ing（冗余 / 电源隔离）
• 反向极性保护（输入端保护）
• 低压差整流与电池充放电路径保护
• 工业控制、电机驱动、家电及照明类功率模块的整流与保护电路

五、封装与热管理

SMA (DO-214AC) 为常用的中功率表贴封装，具有良好的机械强度和可焊性。器件的散热主要依赖于 PCB 铜箔面积与散热走线设计：

• 在电流接近额定值时，建议在二极管焊盘周围增加铜箔面积（顶层或底层）以降低结到环境热阻并分散热量。
• 对于长时 1 A 工作或更高频率脉动负载，应对 PCB 进行适当的热仿真与测温验证，必要时采用散热片或加强铜层。
• 注意反向电流随结温上升而显著增加，在高温工况下需考虑漏电流对系统的影响并进行适当的电流与能量热沉降额定。

六、设计与使用建议

• 连续工作电流建议不超过 1 A，若存在频繁或长时间浪涌情形，应选用更高额定电流或并联多个器件（需考虑电流共享与热均衡）。
• 峰值浪涌 Ifsm 为 30 A，适用于短时冲击；但对于重复或长脉冲（例如启动电流），应避免超过器件的热能限制。
• 反向电压边界为 100 V，设计时应留有裕量，避免在高电压瞬态（浪涌、开关尖峰）下触及击穿。
• 焊接时遵循晶导微电子推荐的回流焊工艺参数与焊接曲线，避免过度加热导致封装或电性能退化。
• 采用短、粗的走线以降低串联阻抗，并优化布局以减少寄生电感，优化高频开关场景的抑振性能。

七、可靠性与质量控制

晶导微电子对其批次器件进行常规电性能与可靠性测试，包括但不限于高温存储、温度循环、湿热与电应力试验。使用时建议进行样片验证，包括温升测试、长期功率循环和在目标系统中的电磁兼容性（EMC）验证，以确保满足最终应用需求。

八、订购信息与替代型号

SS110 为晶导微电子标准产品，常见供应形式为散装与片装（T&R）等。具体的最小订购量、交期与封装形式请联系厂商或授权分销商索取最新数据手册与报价。若需更高电流能力或更低反向漏电流，可参考晶导微电子或其它厂商的相近肖特基系列，以匹配系统的功率与温度要求。

如需进一步的电参数曲线（Vf-T、Ir-T、功耗与热阻数据）、封装尺寸图或推荐 PCB 焊盘样式，请提供具体需求或联系供应方获取完整数据手册。