型号:

RS2M

品牌:晶导微电子
封装:SMA
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
RS2M 产品实物图片
RS2M 一小时发货
描述:快恢复/高效率二极管 独立式 1.3V@2A 1kV 2A
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0519
5000+
0.0425
产品参数
属性参数值
二极管配置独立式
正向压降(Vf)1.3V@2A
直流反向耐压(Vr)1kV
整流电流2A
反向电流(Ir)5uA@1kV
反向恢复时间(Trr)500ns
工作结温范围-55℃~+150℃@(Tj)
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)50A

RS2M 产品概述

一、产品简介

RS2M 是晶导微电子推出的一款独立式快恢复/高效率整流二极管,SMA 封装设计,定位于高电压中等电流的电源整流与回路钳位场景。器件兼顾高耐压与较低的反向漏电,适用于开关电源、逆变器与工业高压电源中的中高频整流与稳压保护。

二、主要技术参数

  • 二极管配置:独立式(单只)
  • 正向压降(Vf):1.3V @ IF = 2A
  • 直流反向耐压(Vr):1000V(1kV)
  • 额定整流电流(IF):2A(连续)
  • 反向电流(IR):5µA @ VR = 1kV
  • 反向恢复时间(Trr):500ns(典型)
  • 工作结温范围(Tj):-55℃ ~ +150℃
  • 非重复峰值浪涌电流(Ifsm):50A(单次脉冲)
  • 封装:SMA(表面贴装)

三、主要特性与优势

  • 高耐压:1kV 反向耐压使其可直接应用于高压开关电源与工业供电系统中,减少级联或并联器件数量。
  • 低泄漏:在满压条件下反向漏电仅为 µA 级,利于高压侧能耗与静态漏电控制。
  • 快恢复性能:500ns 的反向恢复时间在中高频开关应用中能有效降低开关损耗与振铃,相比普通慢恢复二极管具有更好效率表现。
  • 中等正向压降:1.3V @2A 在高压整流场合属于可接受范围,在设计时可通过并联或增加散热降低结温以控制功耗。
  • 抗浪涌能力强:单次 Ifsm 50A,可应对短时启动突发电流或浪涌冲击。

四、典型应用场景

  • 高压开关电源(HV SMPS)二次整流或初级钳位。
  • 升压/降压变换器中的自由轮二极管(freewheeling)。
  • 工业电源、模块化电源、医疗/测试设备的高压整流。
  • 逆变器与电机驱动中的反向吸收/钳位保护电路。

五、安装与散热注意事项

  • SMA 为小型表贴封装,推荐短走线、增大铜箔散热面积并在焊盘下方或附近布置过孔以导热至多层地/散热层。
  • 结温升高会显著增加正向压降与反向泄漏,设计中应考虑器件结温与功耗(Pd ≈ Vf × IF),在高电流或高环境温度下使用适当的散热措施或并联使用。
  • 避免长期在 Ifsm 电平下工作,浪涌仅作短时保护;频繁浪涌需选用更高 Ifsm 规格或采用浪涌抑制电路。

六、可靠性与测试建议

  • 建议在实际应用中进行热阻测量与结温计算,验证在最大工作电流与工作频率下的安全裕度。
  • 对于关键应用,开展高温工作寿命(HTOL)与重复浪涌测试,以确认长期可靠性。
  • 在 PCB 设计阶段进行电磁兼容(EMC)与开关瞬态测试,评估反向恢复引起的尖峰与干扰,并在必要处增加 RC/TVS 抑制。

七、选型建议

若目标电路工作电压接近或超过数百伏且需兼顾开关效率与低漏电,RS2M 是一个平衡耐压、恢复速度与成本的选择。若需更低正向压降且工作电压较低,可考虑肖特基器件;若工作频率更高或要求更快恢复,应选用 Trr 更短的快速恢复或超快恢复二极管。选型时请结合实际结温、开关频率和浪涌条件综合评估。