SS36F 肖特基二极管 产品概述

一、概述

SS36F 为晶导微电子推出的一款功率肖特基整流二极管，采用 SMAF 表面贴装封装，适用于中大电流整流与保护场合。器件设计侧重低正向压降与快速响应，适合开关电源、DC-DC 转换、整流桥及反向保护等应用。

二、主要性能参数

• 直流正向电流（整流电流）：3A（持续）
• 正向压降（Vf）：典型值 700mV @ 3A
• 直流反向耐压（Vr）：60V
• 反向电流（Ir）：500µA @ 60V（Ta或Tj需参照器件数据表）
• 非重复峰值浪涌电流（Ifsm）：80A（单次浪涌）
• 工作结温范围：-55℃ ~ +125℃
• 封装：SMAF（表贴）

三、产品特性与优势

• 低正向压降：700mV@3A 降低导通功耗，有利于提高效率并减小发热。
• 快速恢复：肖特基特性带来极短的反向恢复时间，适合高频开关场合。
• 良好浪涌能力：80A 单次峰值浪涌可承受开机或短时过载情况。
• 紧凑封装：SMAF 有利于高密度 PCB 布局与自动化贴装。

四、适用场景

• 开关电源次级整流、输入整流
• DC-DC 转换器与降压模块的续流/整流
• 反向极性保护、电池管理与电源切换
• LED 驱动、功率模块中的稳压与保护电路

五、封装与热管理建议

• 持续 3A 工作时器件功耗约 P ≈ Vf×I ≈ 2.1W，需配合合理铜箔散热：加大焊盘面积、连通沉铜与底层热 vias。
• 参考器件热阻参数进行结温计算，保证在最大环境温度下结温不超过额定值并留有裕量。
• 推荐按照厂商回流焊曲线进行焊接，避免超温或长时间回流。

六、可靠性与选型提示

• 反向漏电在高耐压条件下为 500µA，若系统对漏电敏感（如高阻检测、计量类）应优先考虑低漏型器件。
• 若用于汽车或高可靠性场合，请确认是否具备相关认证（如 AEC-Q）。
• 浪涌能力为非重复峰值，若有频繁冲击或长时大电流冲击，应评估能量吸收与器件寿命。

七、包装与订购

• 品牌：晶导微电子；封装：SMAF。
• 订购时请注明型号 SS36F 与所需包装形式（卷带、盘装等），并向供应商索取最新数据手册与回流焊工艺建议，以便校核电气与热性能。

如需器件的完整温度特性曲线、热阻参数或典型应用电路，可提供数据手册与参考电路图以便进一步设计校核。