型号:

S2MW

品牌:晶导微电子
封装:SOD-123F
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
S2MW 产品实物图片
S2MW 一小时发货
描述:通用二极管 独立式 1.1V@2A 1kV 2A
库存数量
库存:
2844
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0499
3000+
0.0396
产品参数
属性参数值
二极管配置独立式
正向压降(Vf)1.1V@2A
直流反向耐压(Vr)1kV
整流电流2A
反向电流(Ir)5uA@1000V
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)50A
工作结温范围-55℃~+150℃

S2MW 产品概述

一、产品简介

S2MW 是晶导微电子推出的一款独立式通用整流二极管,封装为 SOD-123F,面向中低功率高耐压整流场景。器件在额定工况下提供 2A 的整流电流,直流反向耐压高达 1kV,适合对耐压和体积有平衡要求的工业与民用电源设计。典型正向压降为 1.1V(IF = 2A),在保证导通损耗可控的同时兼顾散热与可靠性。

二、主要电气参数

  • 型号:S2MW
  • 品牌:晶导微电子
  • 封装:SOD-123F(独立式)
  • 额定整流电流:2A(连续)
  • 非重复峰值浪涌电流 Ifsm:50A
  • 正向压降 Vf:1.1V @ IF = 2A
  • 直流反向耐压 Vr:1000V
  • 反向电流 Ir:≤5µA @ 1000V
  • 工作结温范围:-55℃ ~ +150℃

这些参数表明 S2MW 在高压整流与浪涌吸收场合具有较好性能,反向漏流小,适合要求高耐压且对静态损耗敏感的应用。

三、性能亮点与设计注意事项

  • 高耐压:1000V 的耐压能力使其可以用于高压整流、整机防反接与高压电源二次侧整流。
  • 低漏流:在满耐压条件下反向电流仅 µA 级,有利于降低待机损耗与电流泄漏问题。
  • 浪涌能力:50A 的非重复峰值浪涌电流允许器件承受短时的冲击电流,如输入大电容充电时的浪涌。
  • 热设计:SOD-123F 为小型表面贴装封装,散热能力有限。建议在 PCB 设计中加大热铜箔面积、增加过孔或靠近散热体安放,并在高环境温度下进行电流降额或加风冷,以提高可靠性和寿命。

四、典型应用场景

  • 开关电源次级整流与开关管保护
  • 高压电源、测量仪器的整流与防反接
  • 工业控制电源、照明电源及电池充放电控制
  • 电机驱动与逆变器中对吸收尖峰电流的保护电路

五、使用与可靠性建议

  • 焊接与回流:遵循 SOD-123F 封装的回流曲线规范,避免过温或长时间高温暴露,减少热应力。
  • 测试与检验:对每批器件进行 Vf(2A)、Ir(1000V)与 Ifsm 峰值测试抽检,确保批次一致性。
  • 存储与搬运:避免潮湿环境存放,建议在干燥箱中保管并遵循封装湿敏等级(MSL)处理流程。
  • 降额原则:在高温或长期满载工况下,适当降低持续电流以延长器件寿命;在有频繁浪涌的场景,关注热循环与硅片疲劳影响。

总结:S2MW 以其 1kV 的高耐压、2A 的连续整流能力与 50A 的浪涌承受能力,结合小型 SOD-123F 封装,适合对体积与耐压有综合要求的电源整流和保护场合。合理的 PCB 热设计与降额使用将显著提升产品稳定性与寿命。如需布线参考、焊接曲线或更多电参曲线(如正向 V–I、反向温漂等),可联系晶导微电子获取完整数据手册与应用指南。