型号:

MSB56L

品牌:晶导微电子
封装:UMSB
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
MSB56L 产品实物图片
MSB56L 一小时发货
描述:整流桥 590mV@5A 60V 300uA@60V 5A
库存数量
库存:
366
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.57
3000+
1.49
产品参数
属性参数值
正向压降(Vf)590mV@5A
直流反向耐压(Vr)60V
整流电流5A
反向电流(Ir)300uA@60V
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)80A
工作结温范围-55℃~+150℃
类型单相整流

MSB56L 产品概述

一、产品简介

MSB56L 是晶导微电子推出的一款单相整流桥,采用 UMSB 封装,面向中小功率整流与电源管理应用。该器件在 5A 工作电流条件下具有较低的正向压降(Vf=0.59V@5A),同时具备 60V 的直流反向耐压和 80A 的非重复峰值浪涌能力,适合用于开关电源、充电器、适配器、LED 驱动及电机驱动等场景。

二、主要技术参数

  • 正向压降(Vf):0.59V @ 5A
  • 直流反向耐压(Vr / VRRM):60V
  • 连续整流电流:5A
  • 反向电流(Ir):300μA @ 60V
  • 非重复峰值浪涌电流(Ifsm):80A
  • 工作结温范围:-55℃ ~ +150℃
  • 类型:单相整流桥
  • 封装:UMSB
  • 品牌:晶导微电子

三、性能亮点

  • 低压降、高效率:5A 时正向压降仅约 0.59V,可显著降低整流损耗,提升系统能效,尤其在高电流、低压差的场合更为明显。
  • 低反向漏电:60V 条件下反向电流仅 300μA,有利于在待机或轻载状态下降低功耗与热量积累。
  • 强抗冲击能力:80A 的非重复峰值浪涌电流能够承受启动或充电瞬时冲击,提高系统可靠性。
  • 宽温度工作:-55℃~+150℃ 的结温范围适合工业级环境,适应恶劣温度工况。

四、典型应用场景

  • 开关电源(SMPS)整流输出与回路整流
  • 适配器与充电器的整流桥模块
  • LED 驱动电源与照明设备整流
  • 电机驱动与工业控制电源
  • 电池充电与能量回馈电路中的整流元件
    在这些场景中,MSB56L 的低损耗与高浪涌能力能提升整体效率并增强抗干扰、抗冲击能力。

五、封装与热管理建议

UMSB 封装体积小、适合表贴安装,但在 5A 连续工作时仍需关注热耗散与 PCB 散热设计。建议:

  • 在正负端焊盘处布置大面积铜箔(顶层与底层均尽量增加),并采用多条热电过孔与散热铜柱引导热量至底层散热平面;
  • 对于长时间高负载或高环境温度工况,建议配合散热片或加大 PCB 散热区;
  • 在设计时考虑器件结温随环境温度升高的降额策略,保证长期可靠性。
    具体焊盘尺寸、过孔位置与回流温度等请参照晶导微电子的详细封装与工艺规范。

六、使用注意事项与可靠性

  • 在接入交流侧时,应考虑合适的熔断保护与限制浪涌电流的措施(如 NTC、限流电阻或软启动电路);
  • 虽然 Ifsm 能承受短时大浪涌,但不建议长期重复在峰值附近操作;
  • 在高压侧使用时注意 PCB 上的爬电距离与绝缘要求;
  • 遵循标准的回流焊工艺,避免超过器件最大结温(Tj max = +150℃);
  • 建议在设计验证阶段进行热仿真与实际温升测试,评估在目标散热方案下的持续工作能力。

七、选型建议与替代方案

若目标系统要求更低的正向压降或更高的耐压,可考虑肖特基二极管或更大电流等级的整流桥;若关注更低的反向漏电以降低待机功耗,可优先选用低漏电设计的型号。对于封装或安装空间受限的应用,UMSB 封装提供较好的平衡,具体替代与匹配请参考晶导微电子系列产品和数据手册。

如需详细的引脚排列、典型电路图、封装尺寸及回流焊曲线,请联系晶导微电子获取 MSB56L 的完整数据手册与应用说明。