BAS70-05T-7-F 产品概述

一、产品简介

BAS70-05T-7-F 是 DIODES（美台）推出的一款小型肖特基二极管，采用双芯片共阴极（1对共阴极）结构并封装于 SC-75 (SOT-523) 微型封装中。该器件针对低功耗、高频率和微型化应用进行了优化，具备一定的反向耐压能力与较低的反向漏电流特性，适合移动终端、接口保护和高速开关场景的表面贴装应用。

二、主要电气参数（关键规格）

• 二极管类型：肖特基二极管，1对共阴极（两个独立阳极，共用阴极）
• 正向压降（Vf）：1 V @ 15 mA
• 直流反向耐压（Vr, VR）: 70 V
• 最大整流电流（Io）：70 mA（连续）
• 非重复峰值浪涌电流（Ifsm）：100 mA
• 典型反向电流（Ir）：100 nA @ 50 V
• 工作结温范围：-55 ℃ ~ +125 ℃
• 封装：SC-75（SOT-523）微型表面贴装封装
• 品牌与型号：DIODES (美台)，BAS70-05T-7-F

三、主要特性与优势

• 小型封装：SC-75 (SOT-523) 极小占板面积，利于高密度 PCB 设计与便携式终端产品的小型化。
• 共阴极双管结构：两个独立阳极、共用阴极的设计便于实现信号整流、双向馈电保护、二选一整流或电平转换等应用，减少外部器件数目。
• 较高反向耐压：70 V 的直流反向耐压使器件在较高电压环境下仍能保持可靠性，适合一定电压余量的接口和保护电路。
• 低反向漏流：在 50 V 条件下反向漏电流仅约 100 nA，利于降低静态功耗，适合电池供电系统与待机电路。
• 快速肖特基特性：肖特基势垒使其开关速度优于普通整流二极管，适合高速开关和高频整流场合。

四、典型应用场景

• 接口保护：USB、UART、I2C 等数据线的防反接、防浪涌及电平保护。
• 信号整流与检测：用于小电流的信号整流、峰值检测和混频器输出整流等场合。
• 电源管理：小功率电源轨的反向保护、二极管 OR-ing（与其他电源路径进行优先选择）以及电压钳位。
• 移动与便携设备：由于封装小、漏电低，适用于移动电话、可穿戴设备和便携式测量仪器的电源和接口电路。
• 高频开关与混频：肖特基结构的快速响应适合部分高速/射频应用的整流与钳位用途（受限于电流和功耗规格）。

五、封装与引脚说明

BAS70-05T-7-F 采用 SC-75（SOT-523）极小封装，适合自动贴装工艺。器件为共阴极双二极管结构，典型引脚安排为两个独立阳极与一个公共阴极。由于封装尺寸较小，应在 PCB 布局时为器件提供合适的焊盘与热散路径，并遵循厂商推荐的封装及焊盘尺寸以确保可靠焊接。

六、使用建议与可靠性注意事项

• 电流与功耗管理：最大整流电流为 70 mA，应避免长期在极限条件下工作。连续工作电流接近极限时请评估器件结温升高对寿命的影响，并在必要时采取散热或均流措施。
• 浪涌限制：非重复峰值浪涌电流 100 mA，仅能承受短时脉冲。遇到较大瞬态能量（如感性负载反向脉冲、雷击浪涌），需外加抑制器件（TVS、电阻或限流）以保护器件。
• 温度对漏电的影响：反向漏电流随温度升高而增加，设计时应留有裕量，确保在高温工况下静态漏电仍满足系统要求。
• 焊接工艺：遵循通用回流焊工艺，避免超出厂商推荐的峰值回流温度和时间，以防损伤器件或影响可靠性。
• PCB 设计：尽量缩短电流路径，提供适当的地/散热铺铜，尤其在需要频繁切换或接近最大电流时有助于降低结温。

七、总结

BAS70-05T-7-F 是一款面向小功率、高密度装配场景的肖特基双二极管器件，兼顾了较高的反向耐压、低反向漏电和共阴极双通道的电路便利性。适合用于接口保护、信号整流与小功率电源管理等多种应用场景。在设计使用时应注意电流、浪涌与温度管理，以确保长期可靠运行。若需更详细的电气特性曲线、封装尺寸及焊盘推荐，请参考 DIODES 官方器件数据手册。