SBR12A45SD1-T 产品概述

一、简要介绍

SBR12A45SD1-T 是 DIODES（美台）推出的超势垒整流器（Super Barrier Rectifier，SBR），额定整流电流 12A，重复反向耐压 45V，典型正向压降 480mV（在 12A 条件下）。该器件旨在在中低压、高电流场合替代传统肖特基或快恢复二极管，以在导通损耗与反向恢复性能之间取得更佳平衡。

二、主要电气参数

• 正向压降（Vf）：480mV @ 12A
• 直流反向耐压（Vr）：45V
• 整流电流：12A（连续）
• 反向漏电流（Ir）：500µA @ 45V
• 非重复峰值浪涌电流（Ifsm）：200A（一次性峰值）
• 工作结温范围：-65℃ ~ +150℃

三、关键特性与优势

• 低正向压降：在高电流条件下显著降低导通损耗，有助于提升系统效率并减小发热。
• 可控反向漏电：在 45V 情况下 Ir 典型为 500µA，适合多数中等电压电源拓扑。
• 高浪涌承受能力：200A 的非重复峰值浪涌电流能应对短时启动或突发过流。
• 宽温度范围：-65℃~150℃，满足工业级、汽车电子等苛刻环境要求。
• 封装稳定：DO-201AD 轴向封装便于手工焊接与传统波峰/回流工艺。

四、封装与机械注意

封装：DO-201AD（轴向）——适用于需要穿孔安装或更换方便的场合。该封装散热依赖引线与安装方式，长期 12A 连续工作需注意传导/对流散热条件，必要时配合散热片或保证良好空气流动。

五、典型应用

• 开关电源（输出整流）
• DC-DC 转换器与同步整流替代
• 电机驱动的续流/自由轮二极管
• 电池充电器与适配器
• LED 驱动与照明电源

六、设计与使用建议

• 热设计：按 Vf·I 近似计算导通损耗（0.48V×12A ≈ 5.76W），进行相应的散热规划并考虑结温升高对 Ir 的影响。
• 浪涌管理：Ifsm 为瞬时峰值，频繁浪涌或高温下需降额或选择更高浪涌等级器件。
• 布局：轴向封装尽量缩短引线回路，靠近开关节点布置以减少寄生电感和电磁干扰。
• 焊接工艺：遵循 DO-201AD 推荐温度曲线，避免过高焊接温度与长时间加热。

七、选型与替代考虑

若工作电压或浪涌需求更高，可选择更高 Vr 或更大 Ifsm 的型号；若追求更低 Vf（以进一步提升效率），可评估低压肖特基或 SiC Schottky，但需权衡反向漏电、成本与封装适配性。

总结：SBR12A45SD1-T 在中低压、高电流场合提供了低导通损耗与良好浪涌能力的平衡，适合用于电源整流与续流应用，但在热管理与浪涌频率较高的场景需谨慎降额与布局设计。