TT410-13 产品概述

一、主要参数与特性

• 型号：TT410-13（DIODES，美台品牌）
• 类型：单相整流桥
• 正向压降（Vf）：910 mV @ 2 A
• 直流反向耐压（Vr / VRRM）：1 kV
• 额定整流电流：4 A（连续，受散热条件限制）
• 反向漏电流（Ir）：150 nA @ 1 kV
• 非重复峰值浪涌电流（Ifsm）：240 A（单次浪涌）
• 工作结温范围（Tj）：-55 ℃ ~ +150 ℃
• 封装：TT（适用于通孔安装与常规散热方案）

二、性能解读

TT410-13 是一款高电压、低漏电、高浪涌能力的单相整流桥。1 kV 的反向耐压与极低的反向电流（150 nA@1 kV）使其适合中高压整流场合；0.91 V@2 A 的正向压降意味着在中等电流下导通损耗较低，但在接近额定4 A 时正向压降会升高，实际功耗应按 Vf×I 估算并结合温升计算。240 A 的峰值浪涌能力适合对启动浪涌或容性负载冲击有一定要求的电路。

三、封装与热管理

TT 封装便于通过孔安装并能较方便地进行散热处理，但其持续4 A 的能力高度依赖于散热条件。使用建议：

• 在 PCB 上留足散热铜箔并使用多层过孔导热至散热平面；
• 必要时配合散热片或导热垫以降低结温；
• 在设计中进行热仿真或实测，按照应用工况进行电流降额（ambient 温度高时必须降额）。

四、典型应用

• 工业电源整流（中高压输入）
• 电机驱动与控制电源的整流环节
• 电池充电与充电桩前端整流（需配合保护电路）
• 光伏逆变器/微逆电源部分的整流单元
• 各类电子设备的高压整流或滤波前置整流

五、使用建议与注意事项

• 浪涌处理：Ifsm 为非重复峰值，遇到重复或频繁浪涌要采取限制措施（如前端限流、NTC、软启动或外加浪涌吸收器）。
• 反向漏电：150 nA@1 kV 表现优异，适合对漏电敏感的高压应用，但在高温下漏电会上升，应关注结温影响。
• PCB 布局：输入端应靠近整流桥放置，输入电解/陶瓷电容尽量靠近桥脚以抑制尖峰。加装 RC 抑制器或 TVS 可保护器件免受过压或反向尖峰。
• 损耗计算：当需要估算导通损耗时，用实际工作电流与对应 Vf 乘积近似；建议参考详细数据表中的 I-V 曲线获得更精确值。
• 安全与认证：在高压系统中使用时，注意符合相关安全隔离与绝缘要求，并预留足够的爬电距离与固体绝缘。

六、总结

TT410-13 是一款面向中高压单相整流场合的通用整流桥，具有 1 kV 耐压、极低反向漏电和较高浪涌承受能力，适合多种工业与电源应用。设计时应重视散热管理、浪涌控制与 PCB 布局，以确保长期可靠运行。欲获得更详细的电气特性曲线与封装尺寸，建议参照 DIODES 的详细数据手册。