SDT5A100SAF-13 产品概述

SDT5A100SAF-13 是 DIODES（美台）推出的一款高可靠性肖特基整流二极管，封装为 DO-214AD，适用于中高功率开关电源和电源管理场合。器件以低正向压降、快速恢复特性和较高的浪涌能力为主要卖点，适合对效率和瞬态保护有要求的应用。

一、主要规格

• 型号：SDT5A100SAF-13（DIODES）
• 工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
• 额定整流电流：5A（连续）
• 正向压降 Vf：660mV @ 5A
• 直流反向耐压 Vr：100V
• 反向电流 Ir：50µA @ 100V（典型/最大规格见数据手册）
• 非重复峰值浪涌电流 Ifsm：80A（单次浪涌能力）
• 封装：DO-214AD（功率型表贴封装）

二、主要特点与优势

• 低正向压降：Vf≈0.66V@5A，可显著降低导通损耗，提高系统效率。
• 快速恢复、无明显反向恢复电流：肖特基结构使开关损耗小，适合高频整流与同步替代。
• 高浪涌承受力：Ifsm 80A，能承受启动、短路或浪涌电流冲击。
• 宽工作温度：-55℃至+150℃结温范围，适用于工业级环境。
• 可靠的反向耐压与低反向漏电：100V反向耐压、50µA级漏电适配多数中高压场景。

三、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）输入整流与输出二极管
• DC-DC 变换器的自由轮回（二极管钳位）
• 电池管理与快速切换（OR-ing）应用
• 太阳能逆变器、汽车电子与工业电源保护电路
• 瞬态抑制与浪涌吸收路径

四、热管理与使用注意

• 导通功耗计算：P ≈ Vf × If；在5A情况下 P ≈ 0.66V × 5A = 3.3W，须通过 PCB 铜箔和散热设计将结温控制在安全范围内。
• 持续电流能力受 PCB 散热、铜厚和环境温度影响，应按厂商热阻/结壳温度曲线适当降额使用。
• 反向漏电随温度升高显著增加，需在高温或静态高压条件下评估漏电对系统的影响。
• 浪涌电流为非重复峰值（Ifsm），不可作为重复脉冲或连续冲击标准。

五、封装与安装建议

• DO-214AD 封装兼顾机械强度与散热面积，建议在焊盘下方采用散热铜箔或热沉结构，并在靠近二极管引脚处配置过孔或热通道以提升散热效率。
• 布线应尽量短且宽，以减少寄生电感与压降；高速开关场合注意布局以降低环路面积。

六、选型建议

• 若系统对效率敏感且电压在 100V 以下、工作电流靠近 5A，SDT5A100SAF-13 是性价比较高的选择。
• 对于更高电压或更低漏电需求，考虑电压更高或漏电更低的器件；若需更低 Vf（更小功耗），可比较同类芯片的 Vf 曲线并结合热设计进行权衡。
• 使用前建议参考 DIODES 的完整数据手册，确认在具体温度与波形条件下的 Vf、Ir 与热阻参数，以确保设计可靠性。