7N65F 产品概述

一、概述

7N65F 是友台半导体（UMW）推出的一款高压 N 沟道功率 MOSFET，耐压 650V，适用于中高压开关电源与功率转换场合。器件采用 TO-220F 封装（绝缘引脚片），单片供货，适合需要隔离安装且便于散热的应用。

二、主要电气参数

• 漏源耐压 Vdss：650V
• 连续漏极电流 Id：7A（注意需配合散热条件）
• 导通电阻 RDS(on)：典型 1.1Ω @ Vgs=10V（部分资料标注 1.4Ω@10V，3.5A 测试条件，最终以出货数据表为准）
• 耗散功率 Pd：83W（基于良好散热）
• 阈值电压 Vgs(th)：4V @ 250µA
• 总栅极电荷 Qg：28nC @ Vgs=10V
• 输入电容 Ciss：955pF；输出电容 Coss：120pF；反向传输电容 Crss：11.3pF
• 工作温度：-55℃ ~ +150℃
• 封装：TO-220F（绝缘型）

三、主要特点

• 高电压耐受（650V），适合开关电源及反激/正激拓扑
• 中等导通电阻与较高耗散能力，适合中等功率场合
• 相对较低的栅极电荷（28nC），驱动要求适中，有助于降低栅极驱动能耗
• TO-220F 绝缘封装，便于直接安装在隔离散热片上

四、典型应用

• 开关电源（SMPS）、反激式/正激式变换器
• 功率因数校正（PFC）预开关或续流器件（视拓扑与损耗要求）
• LED 驱动、适配器、充电器、工业电源及高压开关场合

五、设计与使用建议

• 驱动电压建议 10V 左右以保证低 RDS(on)，若使用 12V 门极可获得更佳导通表现；注意门极耐压与驱动器能力。
• 器件在大电流工作时产生的导通损耗 P=I^2·RDS(on) 可能很高（例如 7A 时约 54W），必须配合适当散热片或强制风冷以保持结温在安全范围内。
• 开关过程建议配合门极电阻与吸收网络（RC 或 TVS）抑制振铃与过压，保护器件免受瞬态能量（浪涌/浪涌电流）损害。
• 量产选型请以完整数据手册为准，并通过样片评估在目标电路中的开关损耗与热特性。

六、封装与可靠性要点

TO-220F 为绝缘式散热片封装，安装方便且电气隔离，但热阻高于裸露铜片式 TO-220，散热效率受限。装配时注意螺栓扭矩、介质层热阻与导热垫，焊接工艺遵循厂家建议以保证可靠性。

如需样品测试或完整数据手册（包括开关特性、热阻、SOA、浪涌能力等详细指标），建议向供应商索取并在实际应用环境下进行验证。